ZnSe单晶生长及性能研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 215-218.

ZnSe单晶生长及性能研究

卢利平;刘景和;李建立;万玉春;张亮;曾繁明

长春理工大学材料与化工学院,长春,130022

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
兵器工业总公司资助项目(GDZX2003)

Growth of ZnSe Single Crystal and Its Optical Properties

LU Li-ping;LIU Jing-he;LI Jian-li;WAN Yu-chun;ZHANG Liang;ZENG Fan-ming

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用物理气相输运法对ZnSe(4N)多晶原料在850℃±10℃进行提纯,再用高压坩埚下降法在1530℃、氩气保护气氛下生长出高质量ZnSe单晶体.研究了提纯过程温度的选择以及氧含量和压力对于晶体生长的影响.对生长出的单晶体进行均匀性测试表明ZnSe单晶完整性和均匀性良好.对ZnSe单晶进行光学性能测试分析表明ZnSe单晶的折射率高,吸收系数低,红外透过率大于70;.

中图分类号:

O736

卢利平;刘景和;李建立;万玉春;张亮;曾繁明. ZnSe单晶生长及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 215-218.

LU Li-ping;LIU Jing-he;LI Jian-li;WAN Yu-chun;ZHANG Liang;ZENG Fan-ming. Growth of ZnSe Single Crystal and Its Optical Properties[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(2): 215-218.

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