钼酸铅单晶生长及其缺陷研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 301-305.

钼酸铅单晶生长及其缺陷研究

陈龙;桑文斌;闵嘉华;郭昀

上海大学材料科学与工程学院,上海,200072

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Czochralski Growth of PbMoO4 Single Crystal and Its Defects

CHEN Long;SANG Wen-bin;MIN Jia-hua;Guo Yun

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文通过CZ法生长钼酸铅单晶,讨论了温度梯度、拉速、转速等生长参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理,并从晶体形态、包裹体和位错密度变化方面探讨了晶体生长参数与晶体缺陷之间的内在关系,从而优化温度梯度等生长参数.温度梯度为20～25℃/cm,晶体转速为28r/min,拉速为1.6mm/h时,生长出的晶体形态完整,无开裂现象,晶体中无气泡包裹体,位错密度明显减小,晶体尺寸达φ40mm×70mm,无散射颗粒,在波长0.42～5.5μm范围内,平均透光率为72.6;.

中图分类号:

O782.5

陈龙;桑文斌;闵嘉华;郭昀. 钼酸铅单晶生长及其缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 301-305.

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