多晶氮化铜薄膜制备及性能研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (2): 344-348.

多晶氮化铜薄膜制备及性能研究

岳光辉;闫鹏勋;刘金良

兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

出版日期:2005-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
甘肃省自然科学基金(ZS021-A25-022-C)

Study on Preparation and Property of Polycrystalline Copper Nitride Thin Films

YUE Guang-hui;YAN Peng-xun;LIU Jin-liang

Online:2005-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用反应射频磁控溅射的方法在不同的氮气分压的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示氮气的气氛影响薄膜的择优生长取向,在低氮气气氛时薄膜择优[111]晶向生长,在高的氮气气氛条件下薄膜的择优生长取向为[100].用Scherrer公式估算出薄膜晶粒的大小在17～26nm之间,实验并研究了薄膜的热稳定性和电学性质.结果表明,薄膜的热稳定性较差,在200℃退火1h后已经完全呈Cu的相,薄膜的电阻率随着填隙原子的数目减少从导体到绝缘体发生不连续的改变.

中图分类号:

O484.1

岳光辉;闫鹏勋;刘金良. 多晶氮化铜薄膜制备及性能研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(2): 344-348.

YUE Guang-hui;YAN Peng-xun;LIU Jin-liang. Study on Preparation and Property of Polycrystalline Copper Nitride Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(2): 344-348.

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