固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 395-398.

固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究

张冠杰;舒永春;皮彪;邢小东;林耀望;姚江宏;王占国;许京军

南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京,100083

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
南开大学校科研和教改项目

Compatibility Study on Growing High Quality Modulation Doped GaAs and InP/InP Epilayers by Solid Source Molecular Beam Epitaxy

ZHANG Guan-jie;SHU Yong-chun;PI Biao;XING Xiao-dong;LIN Yao-wang;Yao Jiang-Hong;WANG Zhan-guo;XU Jing-jun

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.

中图分类号:

TN304

张冠杰;舒永春;皮彪;邢小东;林耀望;姚江宏;王占国;许京军. 固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 395-398.

ZHANG Guan-jie;SHU Yong-chun;PI Biao;XING Xiao-dong;LIN Yao-wang;Yao Jiang-Hong;WANG Zhan-guo;XU Jing-jun. Compatibility Study on Growing High Quality Modulation Doped GaAs and InP/InP Epilayers by Solid Source Molecular Beam Epitaxy[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(3): 395-398.

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