γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 399-402.

γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究

彭观??庄漪;邹军;王银珍;刘世良;周国清;周圣明;徐军;干福熹

中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20

Study on the Growth of Pure and Ga3+ Doped γ-LiAlO2 Crystals

PENG Guan-liang;Zhuang Yi;ZOU Jun;WANG Yin-zhen;LIU Shi-liang;ZHOU Guo-qing;ZHOU Sheng-ming;XU Jun;GAN Fu-xi

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 由于与GaN晶格失配小(约1.4;),γ-LiAlO2单晶有望成为GaN外延衬底材料.本文首先使用提拉法生长出了尺寸达φ45×50mm3的γ-LiAlO2单晶,然后采用Ga2O3作为掺杂剂,仍用提拉法生长出了三种不同掺镓浓度的LiAl1-xGaxO2(x=0.1,0.2,0.3)晶体,并用X射线粉末衍射(XRPD)分别对晶体及坩锅中剩余的熔体的成份进行了表征.结果表明LiAl-xGaxO2(x=0,0.1,0.2,0.3)晶体归属于γ-LiAlO2结晶结构,Ga3+离子部分地取代Al3+离子,发生分凝且分凝系数小于1.

中图分类号:

O771

彭观??庄漪;邹军;王银珍;刘世良;周国清;周圣明;徐军;干福熹. γ-LiAlO2晶体的生长及掺镓研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 399-402.

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