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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 475-478.

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VHF-PECVD制备微晶硅薄膜及其微结构表征研究

张晓丹;高艳涛;赵颖;朱锋;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学)天津,300071
  • 出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028202,G2000028203);教育部科学技术研究项目(02167);国家高技术研究发展计划(863计划)(2002303261)

Fabrication of Microcrystalline Silicon Films by VHF-PECVD and Their Microstructure Study

ZHANG Xiao-dan;GAO Yan-tao;ZHAO Ying;ZHU Feng;WEI Chang-chun;SUN Jian;GENG Xin-hua;XIONG Shao-zhen   

  • Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用VHF-PECVD技术制备了系列不同衬底温度的硅薄膜.运用微区拉曼散射(Micro-Raman)和X射线衍射(XRD)对薄膜进行了结构方面的测试分析.Micro-Raman测试结果表明:随衬底温度的升高,薄膜逐渐由非晶向微晶过渡,晶化率(Xc)逐渐增大.XRD的结果显示样品的择优取向随衬底温度的升高而变化,(220)方向计算得出样品的晶粒尺寸逐渐变大.

关键词: 甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD);微晶硅;衬底温度

中图分类号: