硫镓银单晶生长新方法探索

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 505-508.

硫镓银单晶生长新方法探索

张伟;朱世富;赵北君;张建军;刘敏文;李一春

广东工业大学应用物理系,广州,510090;四川大学材料科学系,成都,610064;四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
四川省应用基础研究计划(99-479)

A New Method for Growth of AgGaS2 Single Crystal

ZHANG Wei;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-Jun;ZHANG Jian-jun;LIU Min-wen;LI Yi-chun

Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在同一安瓿中一次性合成、生长出了外形完整、无裂纹的AgGaS2单晶体,尺寸达φ10mm×20mm.并进行了X射线能谱元素分析,测定了AgGaS2多晶粉末衍射谱,以及单晶体的红外透射谱,同时得到了(112)、(024)面的X射线单晶衍射谱,结果表明生长的单晶体可用于器件研究.

中图分类号:

O611
O782

张伟;朱世富;赵北君;张建军;刘敏文;李一春. 硫镓银单晶生长新方法探索[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(3): 505-508.

ZHANG Wei;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-Jun;ZHANG Jian-jun;LIU Min-wen;LI Yi-chun. A New Method for Growth of AgGaS2 Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(3): 505-508.

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