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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (3): 525-530.

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磁场直拉硅原理的微观解释

张雯   

  1. 河北工业大学材料学院,天津,300130
  • 出版日期:2005-06-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    河北省自然科学基金(503054)

Micro-explanation of the Principle of the Magnetic Czochralski Silicon ( MCZSi )

ZHANG Wen   

  • Online:2005-06-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文从电磁相互作用基本原理出发,研究锗熔体在垂直磁场中粘度的变化、液态汞在水平磁场中粘度的变化和粘度随磁场强度变化的机理,将研究结果拓展到磁场直拉硅的生产中,根据直拉硅和磁场直拉硅生产过程中,硅熔体中硅原子或原子团的带电状态和运动状态,提出了磁场直拉硅原理的微观解释,外加磁场改变了带电硅粒子(带电的硅原子或原子团)的热对流状态,抑制了熔体中的热起伏,稳定了结晶前沿处熔体的流动状态,为晶体生长提供了稳定的条件.

关键词: 磁场;锗熔体;液态汞;粘度;硅熔体;微观解释

中图分类号: