不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 714-719.

不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究

刘昌龙;尹立军;吕依颖;阮永丰;E.Ntsoenzok;D.Alquier

天津大学理学院物理系,天津,300072;天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室,天津,300072;天津大学理学院物理系,天津,300072;CERI/CNRS,3A rue de la Férollerie,45071 Orléans Cedex 2,France;LMP/STMicroelectronics,16 rue Pierre et Marie Curie,B.P.7155 ,F37071 Tours Cedex,France

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津大学校科研和教改项目(W50301);教育部留学回国人员科研启动基金(413147)

Damage Creation in Single Crystal Silicon Induced by He Ion Implantation at Different Energies

LIU Chang-Long;YIN Li-jun;LU Yi-ying;RUAN Yong-feng;E.Ntsoenzok;D.Alquier

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 40、160和1550 keV能量的He离子在室温下注入单晶Si样品到相同的剂量5×1016 ions/cm2,采用透射电子显微镜(TEM)研究了800℃退火1h在Si中引起的损伤形貌.结果表明,三种能量的He离子注入Si并经高温退火均能产生空腔,但空腔的形貌、尺寸以及分布深度都依赖于离子的能量.结合TRIM程序计算结果对空腔和其它缺陷产生对He离子能量的依赖性进行了讨论.

中图分类号:

刘昌龙;尹立军;吕依颖;阮永丰;E.Ntsoenzok;D.Alquier. 不同能量He离子注入单晶Si引起的损伤研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 714-719.

LIU Chang-Long;YIN Li-jun;LU Yi-ying;RUAN Yong-feng;E.Ntsoenzok;D.Alquier. Damage Creation in Single Crystal Silicon Induced by He Ion Implantation at Different Energies[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(4): 714-719.

[1]	夏政辉, 李腾坤, 任国强, 解凯贺, 卢文浩, 李韶哲, 郑树楠, 高晓冬, 徐科. 氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(3): 480-486.
[2]	钱梦雪, 张志荣, 王华东, 张庆礼, 孙彧. 基于片状光束扫描的激光晶体内在缺陷表征方法[J]. 人工晶体学报, 2024, 53(2): 238-245.
[3]	胡婷婷, 牟恋希, 王鹏, 屠菊萍, 刘金龙, 陈良贤, 张建军, 欧阳晓平, 李成明. 高纯低位错密度单晶金刚石的制备与表征[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(11): 1931-1938.
[4]	王迪, 汤港, 张博, 王墉哲, 张中晗, 姜大朋, 寇华敏, 苏良碧. Nd,Y∶SrF₂激光晶体的位错缺陷表征及分布研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(7): 1208-1218.
[5]	王海笑, 李腾坤, 夏政辉, 陈科蓓, 张育民, 王鲁华, 高晓东, 任国强, 徐科. 掺杂对GaN晶体力学性能影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2023, 52(2): 229-234.
[6]	张雅丽, 权纪亮, 刘纪岸, 刘军, 黄晋强. Ce∶LuAG闪烁晶体的生长研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(12): 2003-2008.
[7]	王贝贝, 刘文鹏, 任浩, 张传成, 刘海莲, 邹勇, 丁守军. 钆钪铝石榴石单晶缺陷的微观形貌与成因研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(11): 1851-1857.
[8]	张家鑫, 彭燕, 陈秀芳, 谢雪健, 杨祥龙, 胡小波, 徐现刚. 碳化硅单晶位错研究进展[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(11): 1973-1982.
[9]	王姝予, 李天微, 郝莹, 马颖, 刘鹏, 徐英起, 顾文梅. 不同浓度Nb掺杂ZnO第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(7): 1194-1201.
[10]	张宇飞, 王凯悦, 李俊林, 秦振兴, 田玉明. 基于光谱测试的纯净金刚石品质与缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(5): 926-932.
[11]	王丹, 王晓丹, 夏长泰, 赛青林, 曾雄辉. Eu³⁺离子注入β-Ga₂O₃单晶的应力变化和发光性质研究[J]. 人工晶体学报, 2022, 51(4): 600-605.
[12]	谭心, 张博晨, 任元, 陈成斌, 刘岳飞. Er掺杂金刚石缺陷的第一性原理研究[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(6): 1023-1028.
[13]	李建军, 范澄兴, 程佑法, 刘雪松, 王岳, 山广祺, 李婷, 李桂华, 丁秀云, 赵潇雪, 黄准, 燕菲, 杜冉. 金刚石UV-Vis-MIR光谱常见特征综述[J]. 人工晶体学报, 2021, 50(1): 158-166.
[14]	黄丽;阮永丰. 6H-SiC单晶的中子辐照损伤及其退火特性研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(10): 1794-1799.
[15]	杨金凤;商继芳;李清连;毛乾辉;郝好山;孙军. 钽酸锂晶体高温富锂扩散工艺的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(6): 1010-1015.