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人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 725-728.

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用 Czochralski 方法生长KMgF3 晶体的研究

张万松;徐孝镇;孙为;周广刚;冯金波   

  1. 石油大学(北京)数理系,北京,102200;韩国国立釜庆大学校物理学科,釜山,608-737
  • 出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    韩国研究项目(KRF-2002-070-C00042)

Study on the Growth of KMgF3 Crystal by Czochralski Method

ZHANG Wan-song;SEO Hyo-jin;SUN Wei;ZHOU Guang-gang;FENG JIN-bo   

  • Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 先把KF和MgF2 以1:1摩尔比混合后在Ar气体环境中650℃的恒温下烧结成KMgF3化合物.然后仍在Ar气体环境中用Czochralski方法生长了KMgF3:Cr2+、KMgF3:Eu2+、KMgF3:Sm2+ 等无色、透明的优质单晶体.并分析了能够成功地生长优质氟化物晶体的各个关键环节.

关键词: Czochralski方法;KMgF3晶体;Ar气体环境

中图分类号: