在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 729-733.

在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变

王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力

中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心,上海,200083;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海技术物理研究所功能材料与器件研究中心,上海,200083

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60221502);中国科学院上海技术物理所创新项目

Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates

WANG Yuan-Zhang;CHEN Lu;WU Yan;WU Jun;YU Mei-Fang;FANG Wei-zheng;HE Li

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文利用高分辨率多重晶多重反射X射线衍射技术对分子束外延CdTe(211)B/ Si(211)与CdTe(211)B/GaAs(211)B材料的CdTe外延薄膜进行了倒易点二维扫描,并通过获得的倒易点二维图,对CdTe缓冲层的应力和应变状况进行了分析.研究显示,对于一定厚度的CdTe外延薄膜,在从生长温度280℃降至室温20℃的过程中,由于和衬底存在热膨胀系数的差异,将在外延薄膜中产生热应力,使外延薄膜发生应变,并且这种应变取代了失配应变,在晶格畸变中占据主导地位.对于Si衬底,热应变表现为张应力;对于GaAs衬底,热应变表现为压应力.该研究结果对于进一步优化在大失配的异质衬底上外延同Hg1-xCdxTe材料晶格匹配的Cd1-yZnyTe材料的Zn组分具有指导意义.

中图分类号:

王元樟;陈路;巫艳;吴俊;于梅芳;方维政;何力. 在Si和GaAs衬底上分子束外延CdTe的晶格应变[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 729-733.

WANG Yuan-Zhang;CHEN Lu;WU Yan;WU Jun;YU Mei-Fang;FANG Wei-zheng;HE Li. Lattice Strain in MBE Grown CdTe Films on Si and GaAs Substrates[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2005, 34(4): 729-733.

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