等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

人工晶体学报 ›› 2005, Vol. 34 ›› Issue (4): 753-759.

等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究

陈永生;杨仕娥;卢景霄;郜小勇;张宇翔;王海燕;李瑞

郑州大学物理系,材料物理重点实验室,郑州,450052

出版日期:2005-08-15 发布日期:2021-01-20

Microstructure of Microcrystalline Silicon Film by Plasma Enhanced CVD

CHEN Yong-sheng;YANG Shi-e;LU Jing-xiao;GAO Xiao-yong;ZHANG Yu-xiang;WANG Hai-yan;LI Rui

Online:2005-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文系统研究了PECVD法沉积μc-Si薄膜中衬低温度、氢气稀释率和射频功率等参数对μc-Si薄膜结构特性的影响.表明:随着衬低温度的增加、氢气稀释率的增大、射频功率的提高,薄膜的晶化率增大.沉积薄膜的晶化率最大可达80;,表面粗糙度大约为30nm.通过对反应过程中的能量变化进行了分析,得到反应为放热反应,且非晶结构对沉积参数比较敏感.

中图分类号:

O484.1

陈永生;杨仕娥;卢景霄;郜小勇;张宇翔;王海燕;李瑞. 等离子体增强CVD法沉积的微晶硅薄膜的微结构研究[J]. 人工晶体学报, 2005, 34(4): 753-759.

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