欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 2025年7月22日 星期二 分享到:

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 104-106.

• • 上一篇    下一篇

玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏;卢景霄;冯团辉;王海燕;张丽伟   

  1. 郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州,450052
  • 出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20

Quantum State of Poly-Si Films at Middle Temperature on Glass Substrate

JIN Rui-min;LU Jing-xiao;FENG Tuan-hui;WANG Hai-yan;ZHANG Li-wei   

  • Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.

关键词: PECVD法;非晶硅薄膜;传统炉退火;量子态;晶粒大小

中图分类号: