人工晶体学报

仲维卓;张学华;罗豪甦;华素坤

2006, 35(1): 1-5.

摘要 ( 10 )

PDF (198KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了压电、铁电晶体中负离子配位多面体的结晶方位与形变,提出了压电晶体中同一种负离子配位多面体的结晶方位是一致的.在铁电晶体中,负离子配位多面体发生形变,伴随着晶体发生顺电-铁电相变,并从这一基本过程出发,对铁电体相变的形成机理进行了讨论.

新型非线性光学晶体BaAlBO3F2的生长及组分挥发的研究

纪丽娜;傅佩珍;李云阁;蒋世超;胡章贵

2006, 35(1): 6-10.

摘要 ( 7 )

PDF (243KB) ( 21 )

相关文章 | 计量指标

采用高温熔液法生长BaAlBO3F2晶体(简称BABF)时,组分挥发严重.本文分析了晶体生长前后的组分中相关元素的重量损失,发现易挥发的物质可能是硼的氧化物和氟化物;X射线衍射分析确定挥发物中还含有少量的NaCl.通过改变助熔剂与熔质的配比,明显降低了晶体的生长温度,减少了组分挥发,优化了晶体生长条件,得到24mm×20mm×6mm尺寸的晶体.

位错对BBO晶体光学均匀性的影响

白若鸽;朱镛;陈创天

2006, 35(1): 11-14.

摘要 ( 8 )

PDF (162KB) ( 37 )

相关文章 | 计量指标

本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.

微波水热法合成新型CZBO晶体的研究

袁欣;沈德忠;王晓青;沈光球

2006, 35(1): 15-19.

摘要 ( 8 )

PDF (349KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

本文报道了微波水热法生长晶体硼酸锌镉(CZBO)的研究,合成出新物质(Cd0.01Zn0.99)2BO3(OH).用多晶XRD粉末衍射、元素分析、扫描电镜、红外光谱、热分析等多种手段对产物进行了表征.所得的CZBO微米级晶体呈长条状,其粉末倍频效应是KDP微晶的1.25倍.

化学还原法向二氧化硅人工欧泊中填充Se

许静;谢凯;龙永福;肖加余

2006, 35(1): 20-23.

摘要 ( 5 )

PDF (256KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

本文提出了一种新的调节人工欧泊晶体的光学带隙的方法.采用改进的溶剂蒸发法将单分散SiO2微球组装成在红外光区具有光子带隙的人工欧泊,采用化学还原法向欧泊中填充高折射率材料Se,改变其光学带隙特性.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射和可见-近红外光谱仪(VIS-NIR)等对Se-SiO2三维光子晶体的形貌、结构和光学性能进行了观察测试.研究结果表明Se以纳米晶粒的形式均匀地包覆在SiO2微球表面,与相同晶格周期的SiO2光子晶体相比,Se-SiO2光子晶体的带隙发生明显的红移.

晶体生长机制和生长动力学的蒙特卡罗模拟研究

朱阁;卢贵武;李英峰;蓝建慧;张军;郑庆彬;黄乔松;孙洵;夏海瑞

2006, 35(1): 24-31.

摘要 ( 7 )

PDF (438KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

采用动力学蒙特卡罗方法,对在完整光滑界面上低过饱和度溶液中的晶体生长机制和动态过程进行计算机模拟,得到了晶体生长速率与溶液过饱和度之间的关系以及晶体生长的表面形态.对以二维成核为主要生长机制的动力学生长规律进行分析,发现了二维成核生长的生长死区以及单核生长转变为多核生长时的过饱和度临界值,讨论了热粗糙度、表面扩散、台阶平均高度以及表面尺寸对晶体平均生长速率的影响.

共生晶体Mn2Hg4(SCN)12和MnHg(SCN)4的形成

李广慧;韩丽;许斌

2006, 35(1): 32-35.

摘要 ( 10 )

PDF (218KB) ( 26 )

相关文章 | 计量指标

采用恒温蒸发法从水溶液中生长Hg2+、Mn2+为双配位中心的SCN- 的配合物晶体.生长液中Hg2+含量较SCN-适当过量的条件下,出现Mn2Hg4(SCN)12晶体和MnHg(SCN)4晶体共生现象.MnHg (SCN)4晶体中Hg2+只与SCN-配位,Mn2+只与NCS-配位,而Mn2Hg4(SCN)12晶体中部分Hg2+可以同时与SCN-和NCS-配位体结合,并且部分SCN-同时和2个Hg2+结合成桥式结构.Mn2Hg4(SCN)12晶体中Mn2+的配位数由MnHg(SCN)4晶体中的4配位增大为5配位和6配位.Mn(NCS)4-6 和Mn(NCS)3-5 配位多面体的存在使Mn2Hg4(SCN)12晶体的颜色比MnHg(SCN)4晶体的颜色浅.

一维硅纳米材料的光学特性

裴立宅;唐元洪;郭池;张勇;陈扬文

2006, 35(1): 36-40.

摘要 ( 3 )

PDF (233KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景.总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(PL)的最新进展情况,同时涉及了硅纳米管在PL发射光谱方面的研究结果.并对其发展作了展望

6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

李现祥;胡小波;董捷;姜守振;李娟;陈秀芳;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华

2006, 35(1): 41-44.

摘要 ( 13 )

PDF (246KB) ( 40 )

相关文章 | 计量指标

本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.

掺杂方式对纳米二氧化钛性能的影响研究

尹晓敏;程永清

2006, 35(1): 45-49.

摘要 ( 6 )

PDF (416KB) ( 18 )

相关文章 | 计量指标

对近年来掺杂改性纳米二氧化钛的研究进行了综述,并且详细论述了金属离子掺杂、非金属离子掺杂以及双元素掺杂这三类掺杂方式对纳米二氧化钛的结构相变,光催化性能等方面的影响.

AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

黄毅;赵北君;朱世富;刘娟;张建军;朱伟林;徐承福

2006, 35(1): 50-53.

摘要 ( 10 )

PDF (254KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

采用高纯(99.9999;)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3～0.5;配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2).沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面.同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41;.

废旧电池溶胶-凝胶法制备Mn-Zn铁氧体的研究

席国喜;杨理;路迈西

2006, 35(1): 54-57.

摘要 ( 10 )

PDF (262KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

以硝酸溶解废旧碱性锌锰电池所得的溶液为原料,用溶胶-凝胶法制备出了具有尖晶石结构的Mn-Zn铁氧体.借助于XRD、IR和SEM技术,对制备过程进行跟踪检测并对纳米晶铁氧体的晶体形貌进行表征.研究表明:制备Mn-Zn铁氧体的适宜条件为:金属离子和柠檬酸的比例为1:1(mol),pH=5.0,干凝胶煅烧时间为2h,煅烧温度为650℃;所得产物基本为球形,具有粒径小,分散均匀的特点.

碲锌镉晶体晶格畸变的测定与分析

曾冬梅;介万奇;黄斌;王涛;王领航

2006, 35(1): 58-62.

摘要 ( 16 )

PDF (268KB) ( 36 )

相关文章 | 计量指标

在高分辨X射线衍射仪上,利用不对称布拉格衍射STD技术与单晶摇摆曲线技术相结合的方法,对碲锌镉单晶材料的晶格畸变进行了分析测定.此方法实现了一次装样,多角度、多次测定晶体的摇摆曲线,从而利用多组实验数据完成多元线性回归方程组的求解,避开了一般应变测定方法中难以确定无应力状态下衍射角的问题.所测定的生长态碲锌镉晶片晶格畸变量为10-3～10-2数量级,该畸变量是碲锌镉晶片存在成份偏析、位错和空位等缺陷以及晶片受到的应力综合作用的结果.

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

李冬梅;李璠;苏宏波;王立;戴江南;蒲勇;方文卿;江风益

2006, 35(1): 63-65.

摘要 ( 12 )

PDF (238KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.

980nm红外激发下氟氧化物中Er3+的上转换可见发光

孙凯霞;宋国利

2006, 35(1): 66-70.

摘要 ( 6 )

PDF (299KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

制备了掺杂Er3+的氟氧化物(10ZrF4-10PbF2-10NaF-5Na2O-60SiO2)材料,测量了样品的吸收谱、上转换荧光发射谱和上转换发光强度与激光泵浦功率的对数关系.分析了Er3+的上转换可见发光机制,证实了在980nmLD的激发下,Er3+在402nm、449nm蓝光波段和520nm、551nm绿光波段的上转换荧光发射来自于4f电子的2H9/2、4F5/2、4S3/2、2H11/2激发态到基态4I15/2的跃迁,给出了2H9/2→4I15/2、4F5/2→4I15/2蓝光三光子激发态吸收(ESA)和4S3/2→4I15/2、2H11/2→4I15/2绿光双光子激发态吸收(ESA)的上转换发光机制.

Al(OH)3和Sr(OH)2复合粉末的制备及性能研究

胡劲;孙家林;刘建良;施安;徐茂;高勤琴

2006, 35(1): 71-73.

摘要 ( 6 )

PDF (169KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

本文采用活化Al-Sr合金粉末水解反应制备Al(OH)3和Sr(OH)2复合粉末,利用XRD,SEM,EDS,BET及激光粒度仪对复合粉末进行结构和性能研究.研究结果表明,Al(OH)3和Sr(OH)2的复合粉末中Sr/Al比例与配比相比有所偏移,但在复合粉末中两者均匀混合,具有化学组成的微观均匀性.复合粉末微观形貌为1～3μm片状小颗粒叠加的团聚颗粒,BET比表面积较大,达到45.2m2/g,水解产物粒度分布均匀,D50为27.58μm,D25/D75为0.76.

失配性质对面心立方外延晶体失配位错结构及其形核机制的影响

周耐根;周浪

2006, 35(1): 74-80.

摘要 ( 8 )

PDF (954KB) ( 41 )

相关文章 | 计量指标

运用三维分子动力学方法模拟了外延铝薄膜晶体中失配位错的形成过程.结果显示:失配度为fx=4;时,位错是通过薄膜表层原子的相对滑移来形核,形成一个伯格斯矢量为1/2[10 1]的刃型位错,该位错形成后会迅速向界面滑移,并稳定在离界面1～2个原子层上不动,同时在薄膜表面留下一个台阶.而失配度为fx=-4;时,位错形核是通过挤出一个四面体构型的原子团开始,形成一个伯格斯矢量为1/2[110]的刃型位错,该位错只能平行于界面滑移,位错稳定后离界面的距离比正失配度时的距离和热力学临界厚度都要大.

薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

朱锋;赵颖;魏长春;任慧智;薛俊明;张晓丹;高艳涛;张德坤;孙建;耿新华

2006, 35(1): 81-84.

摘要 ( 7 )

PDF (238KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73;(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27;),电池面积为0.253cm2.

新型AgGa1-xInxSe2晶体用于CO2激光倍频研究

吴海信;石奇;张维;毛明生;程干超;杨琳

2006, 35(1): 85-90.

摘要 ( 6 )

PDF (370KB) ( 24 )

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本实验室用布里奇曼方法成功生长出有应用前景的新型四元非线性AgGa1-xInxSe2晶体,对晶体光学透过,红外低倍显微成像,反射损耗和吸收系数进行了研究和计算.基于纯AgGaSe2和AgInSe2的Sellmeier方程,用线性内插方法计算了不同In含量的AgGa1-xInxSe2在0.9～19μm的Sellmeier色散系数并建立了Sellmeier方程.计算和描绘了Ⅰ型相位匹配CO2激光二次谐波产生的调谐曲线,并标出我们的倍频实验数据.在近似非临界相位匹配条件下,进行了TEA CO2激光10.6μm在AgGa1-xInxSe2中的倍频实验研究,并与AgGaSe2进行了比较,测量的1#AgGa1-xInxSe2相位匹配角θ及相位匹配接收外角△θext·L分别为88.2°和7.7°·cm,AgGa1-xInxSe2的倍频效率比AgGaSe2高出近3倍.

RF预处理对ZnO/Si生长的影响

姚然;朱俊杰;钟声;朱拉拉;傅竹西

2006, 35(1): 91-94.

摘要 ( 8 )

PDF (261KB) ( 25 )

相关文章 | 计量指标

氧化锌是一种Ⅱ-Ⅵ族直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的禁带宽度3.36eV,由于其具有紫外发光的特性,近来受到研究者的广泛关注.由于ZnO在高效率光散发设备和其它光学方面有应用前景,所以要进行高质量的ZnO薄膜制备的研究.由于晶格失配,ZnO/Si的异质结质量不高,现在主要应用过渡层或表面处理的方法进行改善.本文用MOCVD设备生长ZnO/Si薄膜,所用载气为N2,反应源为CO2和DEZ,衬底为Si(111)单晶外延片.除了对衬底进行常规的化学清洗以外,在生长前进行Ar RF的预处理,是氩离子对硅表面进行一定的破坏,处理能量从0～110W进行了梯度变化,再以同样的生长条件进行原位生长.对于样品我们分别作了XRD、PL、AFM测量,发现Ar RF预处理对薄膜结晶有很大影响,未作处理的样品一般呈多晶态,而处理后的样品在一定能量范围内晶格取向有显著提高,但随预处理能量达到一定限值后取向性被破坏,XRD测试图如1、2、3.预处理对于发光也有很大的影响,在一定能量范围内发光强度只随处理能量加大缓慢衰减,但在高能量状态下,发光明显减弱,峰位也随之变化.可见氩离子轰击硅表面形成了缺陷,这些缺陷在生长中顺延在ZnO部分,并且这些缺陷是发光淬灭中心,随能量的增加而增加.PL测试图如4.通过AFM分析样品的粗糙度,发现预处理对表面粗糙度有减低的作用,随着处理能量的增加,表面粗糙度下降.

水热法合成Zn1-xMnxO稀磁半导体

韦志仁;刘超;李军;葛世艳;张华伟;林琳;郑一博;窦军红

2006, 35(1): 95-98.

摘要 ( 8 )

PDF (290KB) ( 18 )

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本文采用水热法在430℃,以3mol;·L-1KOH作矿化剂,填充度为35;,反应时间24h,合成了Zn1-xMnxO稀磁半导体晶体.所合成晶体具有ZnO纤锌矿结构,晶面显露正极面{0001}、负极面{0001}、菱面{1011}及负菱面{1011}晶体高度为5～30μm,径高比约为2:1.X荧光能谱(EDS)显示Mn原子百分浓度为2.6;(x=0.026).晶体呈现低温铁磁性,居里温度50K.

大直径铌酸锂晶片的化学机械抛光研究

王占银;孔勇发;陈绍林;许京军

2006, 35(1): 99-103.

摘要 ( 11 )

PDF (437KB) ( 35 )

相关文章 | 计量指标

本文采用化学机械抛光方法,以SiO2作为抛光液的研磨介质,对76mm Z切向的铌酸锂晶片的抛光进行了深入的研究.分析了影响铌酸锂晶片抛光效果的因素,通过优化工艺参数,使铌酸锂的表面粗糙度Ra达到0.387nm,平面面形误差小于4μm.

玻璃衬底上中温制备多晶硅薄膜的量子态现象

靳瑞敏;卢景霄;冯团辉;王海燕;张丽伟

2006, 35(1): 104-106.

摘要 ( 5 )

PDF (183KB) ( 23 )

相关文章 | 计量指标

用PECVD法直接沉积的非晶硅(a-Si:H)薄膜用传统炉在中温退火,然后用拉曼光谱、XRD和SEM分析,发现晶粒大小随退火温度和退火时间呈现量子态现象.分析发现在传统炉中850℃下退火三个小时晶粒大小出现极大值,平均晶粒尺寸为30nm左右.

水热法合成SnO2金红相纳米柱晶体

韦志仁;李军;刘超;林琳;郑一博;葛世艳;张华伟;窦军红

2006, 35(1): 107-109.

摘要 ( 7 )

PDF (178KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,NaOH为矿化剂,在180℃,填充度为68;,通过加入不同量的NaOH,调节溶液pH值分别为2、4、11,合成了三种具有不同形态的金红相SnO2纳米晶体.其中在较高浓度的酸或强碱环境下合成了具有清晰结构,长100nm、直径10nm的SnO2纳米柱体.

xPMnS-(1-x)PZN陶瓷极化特性研究

周静;孙华君;陈文

2006, 35(1): 110-113.

摘要 ( 4 )

PDF (225KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了xPMnS-(1-x)PZN四元系压电陶瓷的极化性能、谐振频率附近的介电性能及谐振频率温度稳定性.结果表明,xPMnS-(1-x)PZN陶瓷中以取向极化为主,具有很好的谐振频率温度稳定性.组成为x=0.6时,xPMnS-(1-x)PZN陶瓷具有最好的综合压电性能,可用于在谐振频率附近应用的水声换能器.

可调谐激光晶体Cr:GSGG的光谱分析及晶场参数计算

孙敦陆;张庆礼;王召兵;苏静;张霞;邵淑芳;刘文鹏;谷长江;江海河;殷绍唐

2006, 35(1): 114-118.

摘要 ( 7 )

PDF (324KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

用提拉法成功生长出了优质的Cr3+:Gd3Sc2Ga3O12晶体,测定了室温下的吸收光谱和不同温度下的荧光光谱,计算了晶场参数,发现荧光峰值及晶场参数与以前文献报道的均不相同.吸收光谱中,在458.5nm和642.5nm出现了较强的宽带吸收峰,分别对应于Cr3+的4A2→4T1和4A2→4T2的吸收跃迁,在678nm处又叠加了一个非常弱的吸收峰,对应于4A2→2T1的吸收跃迁.测试了晶体从7K到室温的荧光光谱和荧光寿命,在650～850nm范围内出现了宽带荧光,对应于Cr3+的4T2→4A2的发射跃迁.随着温度的升高,荧光峰向长波方向移动,荧光峰半高宽增大,室温下其荧光峰值在732nm,半高宽约为80nm.低温(7K)下的荧光谱中,在694nm处观察到了尖而锐的R线(零声子线),对应于Cr3+的2E→4A2的发射跃迁.由于温度猝灭效应,随着温度升高,晶体的荧光寿命降低,室温下荧光寿命约为114μs.计算了晶场强度参数Dq/B=2.49,4T2零声子能级与2E能级的间距△E为204cm-1,这些参数表明Cr3+处在较弱的晶场中,有利于4T2→4A2的宽带跃迁,Cr:GSGG晶体是较为理想的可调谐激光工作物质.

近化学计量比LiNbO3晶体畴结构研究

姚淑华;胡小波;高磊;刘宏;王继扬

2006, 35(1): 119-122.

摘要 ( 7 )

PDF (295KB) ( 30 )

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利用提拉法,从富锂(Li2O:Nb2O5=58.5:41.5)熔体中生长了φ40mm×40mm的近化学计量比铌酸锂晶体.用同步辐射异常散射技术结合化学腐蚀法观察了晶体中的畴结构,在y方向发现存在180°反向铁电畴结构,而另外的N-SLN单晶z向切片为单畴结构,表明了所生长的近化学计量比铌酸锂晶体具有区域性单畴.

Zn1-x MgxS薄膜的磁控溅射制备及其性能研究

孙汪典;苗银萍;朱祯

2006, 35(1): 123-126.

摘要 ( 3 )

PDF (338KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

利用双靶磁控溅射法,在普通石英玻璃基底上成功制备出Ⅱ-Ⅵ族化合物固溶体半导体Zn1-xMgxS多晶薄膜,并用X射线能量色散谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见(UV-Vis)分光光度计、荧光分光光度计(PL)等测试手段表征了多晶薄膜的成份、表面形貌、晶体结构和光学性质.结果表明:磁控溅射法制备的Zn1-xMgxS多晶薄膜具有立方和六方相混晶相结构,晶粒生长均匀,薄膜在波长小于280nm的紫外区有强烈的吸收,在可见光区紫光范围有一个强的发光峰,而且随着Mg含量的增加,强度增加,吸收边和发光峰的蓝移也增加.蓝移说明了带隙的展宽,其禁带宽度大约从3.6eV增至4.4eV.较高的结晶质量和发光特性显示了它是一种制作短波光电器件和紫外探测器的理想材料.

高质量非晶金刚石薄膜的制备研究

闫鹏勋;李晓春;李春;崇二敏;刘洋;李鑫;徐建伟

2006, 35(1): 127-130.

摘要 ( 8 )

PDF (364KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

利用自行研制的磁过滤等离子体技术(FCAP),并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压,在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),红外吸收光谱(IR),纳米硬度计和摩擦试验仪对制备的非晶金刚石薄膜进行了结构和性能表征.实验结果表明:制备的非晶金刚石薄膜表面十分光滑,表面粗糙度仅为0.1nm;薄膜中sp3键成份高达70.7;,对应薄膜硬度达到74.8GPa,接近金刚石的硬度;薄膜摩擦系数在0.12～0.16之间.文中也讨论了偏压类型对沉积薄膜结构的影响.

镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

李伟;孙云;刘伟;李凤岩;周琳

2006, 35(1): 131-134.

摘要 ( 6 )

PDF (269KB) ( 31 )

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采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4;.

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

姚然;朱俊杰;段理;朱拉拉;傅竹西

2006, 35(1): 135-138.

摘要 ( 5 )

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ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.

GaSb薄膜生长的RHEED研究

李林;王勇;刘国军;李梅;王晓华

2006, 35(1): 139-142.

摘要 ( 40 )

PDF (358KB) ( 32 )

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采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率.实验测量GaSb的生长周期为1.96s,每秒沉积0.51单分子层.低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量.

Sc:In:Fe:LiNbO3晶体的生长及全息关联存储的研究

荣宪伟;刘欣荣;李德敏;关承祥

2006, 35(1): 143-146.

摘要 ( 6 )

PDF (246KB) ( 23 )

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在Fe:LiNbO3中掺进Sc2O3和In2O3采用Czochralski技术生长Sc:In:Fe:LiNbO3晶体.测试Sc:In:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱和抗光致散射能力.Sc(1mol;):In(2mol;):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移到3508cm-1,抗光致散射能力比Fe:LiNbO3晶体提高二个数量级.对Sc(1mol;):In(2mol;):Fe:LiNbO3晶体OH-吸收峰移动机理和抗光致散射能力增强的机理进行讨论.以Sc(1mol;):In(2mol;):Fe:LiNbO3晶体作存储元件,以Cu:KNSBN晶体作为位相共轭镜进行全息关联存储,试验结果表明全息关联存储的成象质量高、图象清晰完整、噪音小.

氢键影响羟基磷灰石结晶形态的理论模型研究

何前军;黄志良;张联盟

2006, 35(1): 147-151.

摘要 ( 7 )

PDF (226KB) ( 19 )

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在矿化环境下,羟基磷灰石晶体生长习性受矿化剂的影响.本文着重研究了氢键对羟基磷灰石结晶形态的影响,建立了矿化剂OH-晶面OH动态平衡吸附模型,引入动态平衡吸附参数k,用来描述这种影响的程度.根据Wulff定理,通过结晶学计算可知随着羟基磷灰石晶体的长大,{10 10}邻位面最终将消失;若不存在矿化剂(k=0)或者矿化剂对羟基磷灰石晶体的氢键作用很小(0≤k≤0.11865)时,{10 11}晶面也将逐渐消失;矿化剂对羟基磷灰石晶体的氢键作用较大(0.11865＜k＜1)时,{10 11}晶面将保留;作出长径比H～k曲线,可知H随k的增大而增大,k对H影响甚微.

金属有机分解法制备钛酸铜钙薄膜

杨玉国;王卓;杨长红

2006, 35(1): 152-154.

摘要 ( 10 )

PDF (305KB) ( 17 )

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采用金属有机分解法(MOD)在p-Si(111)衬底上制备了钛酸铜钙(CaCu3Ti4O12)薄膜.对前驱体溶液粉体退火后做了红外和X射线分析;对薄膜退火后做了X射线和原子力显微镜分析.结果表明,在空气中750℃退火1h后,钛酸铜钙结晶良好;钛酸铜钙薄膜的生长为二维生长模式.

用升华法生长SiC晶体的一种新颖的坩埚设计

张群社;陈治明;蒲红斌;李留臣;封先锋

2006, 35(1): 155-158.

摘要 ( 16 )

PDF (239KB) ( 42 )

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本文提出一个用PVT法生长SiC晶体的坩埚的新颖设计.分析了生长腔中有无锥形档板对腔内及籽晶温度场的影响;比较了档板取不同厚度时SiC粉源升华面和籽晶表面的温度分布.得出了在腔内增设档板后晶体生长面的温度更趋均匀的结论;获取了随着档板厚度的增加,腔内的轴向温度梯度随之增加,但同时晶体生长面的温度也会降低的设计原则.根据计算结果,选取档板厚度等于2mm为优化参数.

硫化锡多晶薄膜太阳电池研究进展

邱永华;史伟民;魏光谱;雷平水;葛艳辉

2006, 35(1): 159-163.

摘要 ( 12 )

PDF (417KB) ( 16 )

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由于硫化锡具有与硅相近的禁带宽度,安全环保,吸收系数也很高,因此非常适合做太阳能电池的吸收层,近年来已成为国内外专家的研究热点.本文围绕硫化锡薄膜材料的生长制备、性质表征以及基于硫化锡的薄膜太阳能电池的研究进展进行了较为详细的阐述,并对硫化锡太阳能电池的研究前景进行了探讨.

用镀有钛过渡层的钼衬底制备无裂纹自支撑金刚石膜

李浩;李成明;吕反修;唐伟忠;陈广超;鲍学进;刘政

2006, 35(1): 164-169.

摘要 ( 9 )

PDF (491KB) ( 31 )

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为了解决金刚石膜脱膜开裂的问题,尝试了一种复合衬底,即镀有钛过渡层的钼衬底.利用直流等离子体喷射法在复合衬底上制备了不同厚度无裂纹的自支撑金刚石膜.用扫描电镜(SEM)、拉曼谱和X射线衍射表征金刚石膜的特征,并检测了其断裂强度.结果表明,用复合衬底制备的金刚石膜在950℃具有最小半高宽,在实验温度下所获得的金刚石自支撑膜的断裂强度均超过了500MPa.

优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响

张晓丹;赵颖;高艳涛;朱锋;魏长春;孙建;耿新华;熊绍珍

2006, 35(1): 170-172.

摘要 ( 4 )

PDF (234KB) ( 17 )

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本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池.电池的Ⅰ-Ⅴ测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加.文中对具体内容进行了详细的分析.

基于带隙分析的三维反蛋白石光子晶体的非理想态结构参数的求解

张良静;许静;龙永福;谢凯

2006, 35(1): 173-176.

摘要 ( 4 )

PDF (230KB) ( 23 )

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应用平面波展开法分析了三维反蛋白石结构光子晶体的带隙性质;计算了沿[111]方向入射时其赝带隙(第一、第三赝带)中心频率分别与填隙材料在模板中填充率ff、模板煅烧因子sf的关系曲线:随ff的减小,v增大;随sf的增大,v随之增大,非理想状态下,ff＜100;、sf＞1,因此较理想态发生蓝移;由此提出了求解平均填充率ffev与平均煅烧因子sfev的计算框图.

AIN单晶生长研究进展

李娟;胡小波;姜守振;陈秀芳;李现祥;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华

2006, 35(1): 177-182.

摘要 ( 6 )

PDF (437KB) ( 31 )

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AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.

ZnSe红外窗口材料的性能及其制备

么艳平;刘景和

2006, 35(1): 183-187.

摘要 ( 16 )

PDF (321KB) ( 36 )

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ZnSe是一种优秀的红外窗口材料,得到广泛的关注.在本文叙述了ZnSe红外窗口材料的光学特性和力学特性,以及详细地描述ZnSe体单晶熔体法、气相法、溶液法和固相再结晶制备技术及其影响因素.

DNA模板调控纳米无机材料生长

邓兰青;袁欢欣;欧阳健明

2006, 35(1): 188-193.

摘要 ( 8 )

PDF (481KB) ( 19 )

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以DNA为模板诱导纳米无机晶体的生长是近年来一个新的研究方向.DNA模板具有完善和严密的分子识别功能,使其组装过程具有高度的选择性.通过人为控制DNA的形状、长度和序列,可以制备出不同结构的纳米功能材料.本文讨论了DNA模板诱导硫化镉、四氧化三铁、硫酸钡、氯化镁和二氧化硅等纳米无机晶体的生长.

稀土元素对人造金刚石冲击韧性的影响

李文秀;戴兰芳;杜修东;王绍斌

2006, 35(1): 194-196.

摘要 ( 9 )

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探讨了含稀土合金粉末对合成金刚石的影响.采用加入少量稀土的NiFe-C作为原料,构成"NiFe-RE-C"粉末材料,再对该粉末一体化芯坯进行活化处理.在超高压、高温的条件下,经一定的工艺流程合成了高品级金刚石.采用该方法的显著特点是提高了金刚石的粗粒度百分比,且生产出的金刚石样品质量高,具有很好的冲击韧性.

新型配位聚合物[Co(pda)2(H2O)2]n的水热合成和晶体结构

周秋香;白晓杰;陈乐培

2006, 35(1): 197-200.

摘要 ( 13 )

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以CoCl2·6H2O和3-(3-吡啶基)丙烯酸(pda)为原料,在中温水热反应条件下,合成了一种新型配位聚合物[Co(pda)2(H2O)2]n单晶体,并对其进行了元素分析、红外光谱表征、TGA-GTA分析和X射线单晶衍射测定.该配位聚合物属单斜晶系,P2(1)/c空间群,晶胞参数为a=1.6958(8)nm;b=0.5466(3)nm;c=1.8034(8)nm;α=90°;β=106.209(7)°;γ=90°;Mr=391.24;V=1.6051(13)nm3;Z=4;dc=1.619g/cm3;μ=1.106mm-1;F(000)=804;R1=0.0367;wR2=0.0711.该晶体通过配位键的连接形成二维结构,又通过分子间氢键和π-π相互作用形成三维的网状结构.

φ200mm蓝宝石晶体生长工艺研究

于旭东;孙广年;张会选;吕进;王进学;孙亮

2006, 35(1): 201-205.

摘要 ( 6 )

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采用单晶提拉炉成功生长出φ200mm ×180mm大尺寸Al2O3晶体.探讨了晶体生长工艺参数和晶体开裂之间的关系,并讨论了晶体中的热应力、热应变、温度梯度、提拉速度之间的关系,分析了影响晶体质量主要是晶体开裂的原因,设计出生长大尺寸Al2O3晶体的最佳工艺条件.

新型电子陶瓷材料发展趋势

2006, 35(1): 205-206.

摘要 ( 4 )

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《人工晶体学报》参考文献书写规则

2006, 35(1): 208.

摘要 ( 8 )

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《人工晶体学报》征稿简则

2006, 35(1): 209-210.

摘要 ( 7 )

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