位错对BBO晶体光学均匀性的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 11-14.

位错对BBO晶体光学均匀性的影响

白若鸽;朱镛;陈创天

中国科学院理化技术研究所,北京,100080;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院理化技术研究所,北京,100080

出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20

Correlation between Dislocation Etch Pits and Refractive Index Inhomogeneity in BBO Crystal

BAI Ruo-ge;ZHU Yong;CHEN Chuang-tian

Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文报道了BBO晶体中位错密度对光学均匀性的影响.样品的光学均匀性是利用Wyko RTI 4100型干涉仪进行测量.采用侵蚀法观测BBO晶体{001}面的位错密度,在一定的侵蚀条件下,观察到BBO晶体{001}面上的位错露头为突起的正三方锥形,底边与X轴平行.在显微镜下测量出样品的蚀坑密度.实验证明,随着位错密度的增加BBO晶体的光学均匀性逐渐变差.

中图分类号:

O734

白若鸽;朱镛;陈创天. 位错对BBO晶体光学均匀性的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 11-14.

BAI Ruo-ge;ZHU Yong;CHEN Chuang-tian. Correlation between Dislocation Etch Pits and Refractive Index Inhomogeneity in BBO Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 11-14.

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