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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 131-134.

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镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响

李伟;孙云;刘伟;李凤岩;周琳   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
  • 出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家科技攻关项目(2004AA513020)

Effects of Proportion and Distribution of Gallium on Quantum Efficiency of CIGS Thin Film Solar Cell

LI Wei;SUN Yun;LIU Wei;LI Feng-Yan;ZHOU Lin   

  • Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4;.

关键词: 镓梯度分布;铜铟镓硒太阳电池;固态源硒化法;量子效率

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