摘要: 采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制CIGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使CIGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的CIGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4;.
中图分类号:
李伟;孙云;刘伟;李凤岩;周琳. 镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 131-134.
LI Wei;SUN Yun;LIU Wei;LI Feng-Yan;ZHOU Lin. Effects of Proportion and Distribution of Gallium on Quantum Efficiency of CIGS Thin Film Solar Cell[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 131-134.