直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 135-138.

直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜

姚然;朱俊杰;段理;朱拉拉;傅竹西

中国科学技术大学物理系,合肥,230026

出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(90201038;50472009;10474091)

Growth of ZnO Thin Films on Silicon Substrate with Sputtering Buffer Layer by LP-MOCVD

YAO Ran;ZHU Jun-jie;DUAN Li;ZHU La-la;FU Zhu-xi

Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： ZnO是一种新兴的的宽禁带半导体材料,相对于传统的宽禁带材料有很多的优势.在相对成本低廉的Si衬底上生长ZnO薄膜是现在攻关的热门课题.目前用缓冲层方法生长ZnO薄膜取得了一些突破.本文利用直流溅射,先在Si衬底上溅射一层ZnO多晶薄膜,通过对直流溅射时间的控制,可以得到不同厚度的ZnO缓冲层.再利用MOCVD设备生长高质量的ZnO薄膜.通过研究发现,直流溅射ZnO薄膜的厚度对于最终的薄膜质量有很大的影响.随着缓冲层的引入,双晶衍射XRD的摇摆半宽有显著下降,并且随着最终ZnO薄膜质量上升,光致发光也有显著的提升.可见缓冲层的引入对ZnO/Si薄膜的质量和发光强度有很大的贡献.

中图分类号:

O484

姚然;朱俊杰;段理;朱拉拉;傅竹西. 直流溅射缓冲层生长ZnO/Si薄膜[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 135-138.

YAO Ran;ZHU Jun-jie;DUAN Li;ZHU La-la;FU Zhu-xi. Growth of ZnO Thin Films on Silicon Substrate with Sputtering Buffer Layer by LP-MOCVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 135-138.

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