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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 139-142.

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GaSb薄膜生长的RHEED研究

李林;王勇;刘国军;李梅;王晓华   

  1. 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,长春,130022
  • 出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目(60306004);国家重点实验室基金(ZS3603)

RHEED Research on GaSb Film Growth by MBE

LI Lin;WANG Yong;LIU Guo-jun;LI Mei;WANG Xiao-hua   

  • Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用分子束外延技术,在GaAs衬底上生长GaSb薄膜时,利用反射式高能电子衍射仪(RHEED)对衬底表面清洁状况、外延层厚度等进行在线监控.通过RHEED讨论低温缓冲层对GaSb薄膜表面结构和生长机制的作用,可以估算衬底温度,并能计算出薄膜的生长速率.实验测量GaSb的生长周期为1.96s,每秒沉积0.51单分子层.低温缓冲层提高了在GaAs衬底上外延GaSb薄膜的生长质量.

关键词: GaSb薄膜;反射式高能电子衍射仪;分子束外延;低温缓冲层;表面结构

中图分类号: