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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 177-182.

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AIN单晶生长研究进展

李娟;胡小波;姜守振;陈秀芳;李现祥;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华   

  1. 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
  • 出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    中国科学院资助项目(50472068);教育部新世纪优秀人才支持计划

Research Progress in the Growth of Aluminum Nitride Single Crystal

LI Juan;HU Xiao-bo;JIANG Shou-zhen;CHEN Xiu-fang;LI Xian-xiang;WANG Li;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua   

  • Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要: AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.

关键词: 氮化铝;升华法;坩埚材料

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