人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 177-182.
李娟;胡小波;姜守振;陈秀芳;李现祥;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华
出版日期:
2006-02-15
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
LI Juan;HU Xiao-bo;JIANG Shou-zhen;CHEN Xiu-fang;LI Xian-xiang;WANG Li;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua
Online:
2006-02-15
Published:
2021-01-20
摘要: AlN是一种重要的半导体材料,由于具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等优越的特性,在微电子和光电子领域具有广泛的应用前景.本文综述了国际上AlN单晶生长的研究进展,对其结构特点、生长方法的选择、生长过程中的问题及存在的结构缺陷等方面进行了介绍.
中图分类号:
李娟;胡小波;姜守振;陈秀芳;李现祥;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华. AIN单晶生长研究进展[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 177-182.
LI Juan;HU Xiao-bo;JIANG Shou-zhen;CHEN Xiu-fang;LI Xian-xiang;WANG Li;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua. Research Progress in the Growth of Aluminum Nitride Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(1): 177-182.
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