6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 41-44.

6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制

李现祥;胡小波;董捷;姜守振;李娟;陈秀芳;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华

山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100

出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家科技攻关项目(2001AA311080);教育部新世纪优秀人才支持计划

Temperature Field Optimization and Polytype Control in the Growth of 6H-SiC Single Crystal

LI Xian-xiang;HU Xiao-bo;DONG Jie;JIANG Shou-zheng;LI Juan;CHEN Xiu-fang;WANG Li;XU Xian-gang;WANG Ji-yang;JIANG Min-hua

Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文模拟了升华法生长6H-SiC单晶的不同温度场,并进行了相应的生长实验.结果表明:改变石墨坩埚和感应线圈的相对位置,可以改变温度场形状;下移石墨坩埚;可以增大温度场径向温度梯度.在不同的径向温度梯度下,6H-SiC晶体分别以凹界面、平界面和凸界面生长.晶体生长界面的形状和速率影响晶体多型的产生,在平界面,生长速率小于300μm/h的晶体生长条件下,可获得无多型的高质量6H-SiC单晶.

中图分类号:

O782

李现祥;胡小波;董捷;姜守振;李娟;陈秀芳;王丽;徐现刚;王继扬;蒋民华. 6H-SiC单晶生长温度场优化及多型控制[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 41-44.

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