AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 50-53.

AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究

黄毅;赵北君;朱世富;刘娟;张建军;朱伟林;徐承福

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(20040610024)

Study on Growth of AgGa1-xInxSe2 Single Crystal

HUANG Yi;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;LIU Juan;ZHANG Jian-jun;ZHU Wei-lin;XU Cheng-fu

Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用高纯(99.9999;)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se0.3～0.5;配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料.以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为φ15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2).沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面.同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41;.

中图分类号:

O782

黄毅;赵北君;朱世富;刘娟;张建军;朱伟林;徐承福. AgGa1-xInxSe2单晶的生长研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 50-53.

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