MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 63-65.

MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究

李冬梅;李璠;苏宏波;王立;戴江南;蒲勇;方文卿;江风益

南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家科技攻关项目(2003AA302160);电子信息产业发展基金

MOCVD Growth of ZnO Thin Films on Ti/Si( 111 ) Templates

LI Dong-mei;LI Fan;SU Hong-bo;WANG Li;DAI Jiang-nan;PU Yong;FANG Wen-qing;JIANG Feng-yi

Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用常压MOGVD方法在Ti/Si(111)模板上生长了氧化锌(ZnO)薄膜,使用二乙基锌为Zn源,去离子水为O源.Si衬底上的Ti薄层采用电子束蒸发台蒸发,然后低温生长缓冲层并在高温下进行重结晶,接着在680℃进行ZnO薄膜的生长.采用粉末衍射法、双晶X射线衍射及光致发光技术研究了材料的取向、结晶性能及发光性能.结果表明,本文制备了高度择优取向和良好发光性能的ZnO薄膜.

中图分类号:

O484

李冬梅;李璠;苏宏波;王立;戴江南;蒲勇;方文卿;江风益. MOCVD方法在Ti/Si(111)模板上生长ZnO薄膜的研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(1): 63-65.

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