欢迎访问《人工晶体学报》官方网站,今天是 2025年7月19日 星期六 分享到:

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (1): 81-84.

• • 上一篇    下一篇

薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结的影响

朱锋;赵颖;魏长春;任慧智;薛俊明;张晓丹;高艳涛;张德坤;孙建;耿新华   

  1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津,300071
  • 出版日期:2006-02-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家重点基础研究发展计划(973计划)(G2000028203,G2000028202);全国教育科学规划项目(02167)

Effect of NP Tunnel on Thin Film a-Si/μc-Si Tandem Solar Cells

ZHU Feng;ZHAO Ying;WEI Chang-chun;REN Hui-zhi;XUE Jun-ming;ZHANG Xiao-dan;GAO Yan-tao;ZHANG De-kun;SUN Jian;GENG Xin-hua   

  • Online:2006-02-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文论述了薄膜非晶/微晶叠层电池中NP隧穿结对电池性能的影响.在薄膜叠层电池中非晶顶电池的N层采用微晶硅,减小了电池的内部串联电阻影响.通过调整非晶硅顶电池N层和微晶硅底电池P层的厚度,降低NP隧穿结的影响,获得薄膜叠层电池效率11.73;(Voc=1.34V,Jsc=14.53mA/cm2,FF=60.27;),电池面积为0.253cm2.

关键词: 非晶/微晶叠层电池;微晶硅;N/P隧穿结

中图分类号: