Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 224-227.

Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

魏群

宝鸡文理学院物理系,宝鸡,721007

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
陕西省教育厅科研项目(05JK139);宝鸡文理学院校科研和教改项目

Theoretical Interpretation of Spin-Hamiltonian Parameters for Al2O3:V2+ Crystal

WEI Qun

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了Al2O3晶体中V2+离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对Al2O3:V2+晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的解释.结果表明,V2+离子进入Al2O3晶体后,上下配体氧平面分别沿C3轴向远离三角中心的方向移动了0.0021nm和0.0020nm.理论计算结果与实验值符合甚好.

中图分类号:

TB32
O732

魏群. Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 224-227.

WEI Qun. Theoretical Interpretation of Spin-Hamiltonian Parameters for Al2O3:V2+ Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 224-227.

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Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

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