人工晶体学报

朱江;赵广军;何晓明;张连翰;徐军

2006, 35(2): 209-212.

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采用提拉法成功生长了无散射掺杂0.5;原子分数的Mn:YAlO3(Mn:YAP)光折变单晶体,晶体尺寸约为25mm×47mm,原生态晶体呈桔黄色.XRD测试结果表明,Mn:YAP晶体具有与纯YAP相同的结构(Pnma),但Mn离子掺杂后相应的晶胞参数略有减小.采用ICP方法测试计算得Mn离子在YAlO3晶体中的分凝系数约为0.11.在室温下测试了Mn:YAP晶体的吸收和荧光光谱,并初步分析了Mn:YAP晶体的光谱特征.研究表明Mn:YAP晶体中,Mn4+离子充当光折变中心,其吸收和发射峰分别对应于480nm和720nm.

Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体生长及开裂研究

刘文莉;王成伟;孙晶;张亮;刘景和

2006, 35(2): 213-216.

摘要 ( 10 )

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本文采用提拉法生长了Cr,Yb,Ho:YAGG可调谐激光晶体,并从理论上讨论了热应力、提拉速度、晶体转速和降温速率等因素对晶体开裂的影响,最后给出了掺铬、镱和钬钇铝镓石榴石激光晶体生长的最佳工艺条件:温度梯度为0.5℃/mm,提拉速度1～2mm/h,晶体转速20～40r/min,冷却速率不超过20℃/h.

Co2+,Er3+:Y3Al5O12晶体的生长及其吸收特性

朱月芹;杭寅;张连翰;宋词

2006, 35(2): 217-220.

摘要 ( 10 )

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应用中频感应提拉法成功生长出新型的Co2+,Er3+:Y3Al5O12晶体.研究了室温下晶体的吸收光谱性能.结合Er3+:Y3Al5O12晶体的光谱,并利用调Q判据对Co2+,Er3+:Y3Al5O12晶体调Q特性进行了简单的分析.结果表明Co2+,Er3+:YAG晶体是一种很有潜力的自调Q激光晶体.

2A12铝块体超细晶材料的ECAP制备

毕见强;孙康宁;范润华;刘睿

2006, 35(2): 221-223.

摘要 ( 4 )

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本文采用自行制造的内角为90°、外角为30°模具对工业用2A12铝合金材料进行了ECAP实验,并采用HitachiS-800透射电镜(TEM)观察和分析了挤压前后材料的微观结构.结果表明:在室温下采用90°模具、加工路径Bc,以5mm/s速度,挤压八次后,成功制备了晶粒尺寸约为200nm、具有大角度晶界的2A12铝块体超细晶材料.

Al2O3:V2+晶体自旋哈密顿参量的理论解释

魏群

2006, 35(2): 224-227.

摘要 ( 4 )

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在考虑微小磁相互作用(包括SS、SOO和OO作用)的基础上,采用全组态完全对角化方法,建立了Al2O3晶体中V2+离子的局域结构与自旋哈密顿参量定量关系,对Al2O3:V2+晶体基态和激发态零场分裂以及基态g因子等自旋哈密顿(SH)参量给出了统一的解释.结果表明,V2+离子进入Al2O3晶体后,上下配体氧平面分别沿C3轴向远离三角中心的方向移动了0.0021nm和0.0020nm.理论计算结果与实验值符合甚好.

电子辐照对MgAl2O4尖晶石光学性质的影响

阳生红;张曰理;莫党;何捷

2006, 35(2): 228-232.

摘要 ( 4 )

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本文利用1.7 MeV电子辐照MgAl2O4尖晶石后,通过吸收谱测量表明,被电子辐照的尖晶石可产生大量的F型色心缺陷, 而且电子的辐照剂量明显地影响尖晶石的光谱特性.随着电子辐照剂量增加, F型色心缺陷的浓度增大;椭偏光谱分析得到的光学常数谱随电子辐照剂量的变化而改变.我们对上述现象进行了合理的分析.

碳热还原法合成氮化硼纳米管

籍凤秋;曹传宝;徐红;杨子光

2006, 35(2): 233-236.

摘要 ( 4 )

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以球磨后的氧化硼和活性碳粉共同作基本原料,加入NaCl和Fe粉填加剂,用简单的碳热还原法, 在1200℃、流动的氨气气氛中成功合成了大量的BN纳米管. 在扫描电镜和透射电镜下观察到纳米管直径均匀, 表面光滑,呈弯曲状,长度达十几个微米.EDS能谱、电子选区衍射和粉末X射线分析表明纳米管为六方相的BN多晶.

LuAlO3∶Ce闪烁晶体的研究进展

丁栋舟;任国浩

2006, 35(2): 237-243.

摘要 ( 12 )

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本文总结了铝酸镥(LuAlO3∶Ce简称LuAP∶Ce,P表示该晶体为赝钙钛矿结构)闪烁晶体的晶体结构、闪烁性能、闪烁机理与晶体生长的研究现状,重点阐述了目前晶体生长及其性能研究取得的进展,然后分析了目前文献报道晶体中存在的问题,提出了铝酸镥闪烁晶体未来研究发展的几个方向.

水热法合成Zn1-xNixO稀磁半导体

韦志仁;李军;刘超;林琳;郑一博;葛世艳;张华伟;窦军红

2006, 35(2): 244-247.

摘要 ( 6 )

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本文采用水热法,在温度430℃,填充度35;,矿化剂为3mol/L KOH,前驱物为添加适量NiCl2*6H2O的Zn(OH)2,反应时间24h,合成了Zn1-xNixO稀磁半导体晶体.当在Zn(OH)2中添加一定量的NiCl2*6H2O为前驱物,水热反应产物为掺杂Ni的多种形态ZnO混合晶体,对其个体较大的晶体中进行电子探针测量表明,前驱物中的添加量和晶体中实际掺入量有很大的差异,只有少量的Ni离子掺入ZnO,最大Ni原子分数含量为0.62;.采用超导量子干涉磁强计测量材料的磁性,发现在室温以下,晶体的磁化强度不随温度升高而下降.在室温下,存在明显的磁饱和现象和磁滞回线,说明具有室温下的铁磁性.

生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响

徐庆安;张景文;杨晓东;巨楷如;贺永宁;侯洵

2006, 35(2): 248-252.

摘要 ( 4 )

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在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.

Cu:KNSBN晶体生长及其光折变效应的研究

荣宪伟;刘欣荣;赵朝中;关承祥

2006, 35(2): 253-256.

摘要 ( 6 )

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在KNSBN晶体中掺进CuO,采用硅钼棒作加热体,以Czochralski技术生长Cu:KNSBN晶体.以二波耦合光路,测试晶体的衍射效率和记录时间,计算折射率变化值Δn.Cu:KNSBN晶体的衍射效率,记录速度和折射率变化值皆高于Fe:LiNbO3晶体.尤其记录速度比Fe:LiNbO3晶体高一个数量级以上.测试Cu:KNSBN晶体位相共轭反射率R和自泵浦位相共轭反射率RC.Cu:KNSBN晶体的自泵浦位相共轭反射率RC值达到64;,是纯KNSBN晶体的二倍.以Cu:KNSBN晶体自泵浦位相共轭镜进行消畸变实验.实验结果表明:输出光波确系输入探测光波的位相共轭光波.

纳米铝粉的性质及其对沉淀法制备纳米氧化铝粉体的作用

卢红霞;毛爱霞;郑路;孙洪巍;胡行

2006, 35(2): 257-260.

摘要 ( 10 )

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研究了纳米铝粉的氧化性质,并利用Al(NO3)3*9H2O、氨水和纳米铝粉为原料,采用液相沉淀法制备出Al(OH)3溶胶,经过真空抽滤和高温煅烧获得了纳米α-Al2O3粉体. 利用DSC/TG曲线分析了纳米铝粉和复合粉体不同温度下晶型和重量的变化,利用XRD分析了不同煅烧温度下复合粉体的成份变化、利用SEM观测了获得的α-Al2O3粉体形貌.研究表明纳米铝粉在相对较低的温度下氧化,这种氧化物籽晶的存在有利于α-Al2O3晶型的低温转化.

有机模板诱导/均相沉淀法对羟基磷灰石(HAP)晶体形貌的控制生长

黄志良;张联盟;刘羽;何前军;陈伟

2006, 35(2): 261-264.

摘要 ( 6 )

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通过添加不同有机模板剂,采用均相沉淀法,制备了粒状、柱状、晶须状、片状、多孔状羟基磷灰石(HAP).利用TEM及SEM对其晶体形貌进行了表征,结果表明:不同有机模板剂的氢键作用能力对HAP六方柱面m{1010}、平行双面c{0001}、六方锥面o{1011}表面能的影响决定了这些晶面的相对发育程度,从而实现了HAP晶体形貌的控制生长.

孔道结构氧钒基磷酸盐研究进展

杨赞中;廖立兵;杜洪兵

2006, 35(2): 265-271.

摘要 ( 9 )

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孔道结构氧-钒基磷酸盐具有丰富而复杂的结构化学特点及特殊的吸附、离子交换、择形催化,以及非线性光学、电磁学等性能,由此成为微孔材料领域研究的热点之一.本文综合评述了孔道结构氧-钒基磷酸盐体系的合成方法、模板与结构导向机理、晶体结构与晶体化学、结构热稳定性等的研究现状,重点讨论了有机模板引导合成的Orgn+-V-P-O相及其模板驱除方法,并提出了存在的问题及今后的研究方向.

直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究

夏冬林;杨晟;王树林;赵修建

2006, 35(2): 272-275.

摘要 ( 4 )

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以10;质量分数SnO2和90;质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大.

沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响

刘保亭;武德起;闫正;乔晓东;赵庆勋;王英龙

2006, 35(2): 276-279.

摘要 ( 6 )

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采用磁控溅射法在(001)SrTiO3 基片上制备了LaNiO3氧化物薄膜,应用X射线衍射(XRD)、反射式高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等技术系统研究了沉积温度对LaNiO3薄膜结构和性能的影响.结果表明在较低的生长温度和较宽的温度范围内(250～400℃)都能得到外延LaNiO3薄膜.输运性质的测量结果表明在其它条件不变的情况下,250℃温度下生长的LaNiO3薄膜具有最高的电导率.

离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

刘焕林;郝瑞亭;杨宇

2006, 35(2): 280-284.

摘要 ( 5 )

PDF (199KB) ( 24 )

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采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜.通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品.通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系.在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜.通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能.

Sr3NbGa3Si2O14晶体非同向声光可调谐滤波器的研究

王宝林;魏爱俭

2006, 35(2): 285-287.

摘要 ( 6 )

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对0.6328μm和1.06μm两种波长,分别给出了Sr3NbGa3Si2O14(SNGS)晶体声光可调谐滤波器取不同近似下的超声波极角θa和入射光极角θi之间的关系曲线.结果指出,对晶体取双折射近似基本没有误差,在红外波段不必考虑旋光特性.具体计算了λ=0.6328μm时,器件的有关性能指标光谱分辨率和角孔径.所得结果对SNGS晶体在非同向声光可调谐滤波器中的应用提供了理论依据.

Er3+掺杂钨酸铅晶体的发光和光谱特征

黄彦林;赵广军

2006, 35(2): 288-293.

摘要 ( 6 )

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本试验测试了Er3+掺杂钨酸铅晶体(PbWO4:Er3+)的吸收光谱,依据J-O理论,首次计算报道了光谱项特征:J-O强度参数、量子荧光效率、荧光分支比等,Ω2=3.75×10-20cm2,Ω4=0.67×10-20cm2,Ω6=0.41×10-20cm2.计算证实,PWO:Er3+中几乎有80;的激发能量非辐射跃迁转移致4I13/2能级,4I13/2的计算寿命是5200μs,J-O计算显示,在PWO中产生4I13/2→4I15/2和发射1.53μm.有高的几率.讨论了不同浓度Er3+掺杂对于吸收系数和PbWO4晶体光学吸收边的影响,讨论了Er3+掺杂PbWO4晶体的光致发光和X射线激发发光光谱,PbWO4:Er3+晶体中存在着从PbWO4基质到Er3+离子的能量传递,发光光谱的分析表明,这种能量传递是共振能量传递.

溶胶-凝胶低温自蔓延工艺合成Co0.5Ni0.5Mn2O4纳米粉体的过程稳定性研究

王卫民;赵鸣;赵丽丽;高峰;田长生

2006, 35(2): 294-298.

摘要 ( 3 )

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本文研究了溶胶-凝胶低温自蔓延工艺合成Co0.5Ni0.5Mn2O4纳米粉体过程中柠檬酸-硝酸盐体系的稳定性.研究结果表明:柠檬酸盐的析出是造成溶胶-凝胶体系不稳定主要因素;加入乙二醇与柠檬酸形成网络结构、以及金属离子与柠檬酸羧基之间形成的配位键是保证溶胶-凝胶体系稳定的两个必不可少的条件.

准晶三阶非线性弹性的轴转动对称性

龙从国;江少林

2006, 35(2): 299-301.

摘要 ( 6 )

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用群论方法导出具有轴转动群SO(2)对称性的三阶非线性弹性系数张量的一般形式.指出具有十次对称轴的准晶的声子型三阶非线性弹性系数张量具有围绕十次对称轴的任意旋转对称性.

Al2O3衬底上生长ZnO薄膜的结构和光学特性

汪洪;苏凤莲;宋学平;刘艳美;李爱侠;周圣明;孙兆奇

2006, 35(2): 302-305.

摘要 ( 6 )

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用脉冲激光沉积法在Al2O3(0001)衬底上沉积了ZnO薄膜.衬底温度分别为300℃、400℃、500℃、600℃和700℃.利用X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对薄膜的结构和光学性能进行研究.X射线衍射的结果表明在不同温度下生长的ZnO薄膜均具有高度c轴择优取向,衬底温度400℃时,膜的应力较小质量较高.ZnO薄膜有很强的紫外发光峰,紫外发光峰的强度与衬底温度密切相关,并发现当衬底温度从300℃增到400℃时,紫外发射峰出现6nm的蓝移.

碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

唐世红;赵北君;朱世富;王瑞林;高德友;陈俊;张冬敏;何知宇;方军;洪果

2006, 35(2): 306-309.

摘要 ( 7 )

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用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.

温度变化对草酸钙晶体生长的影响

陈村元;欧阳健明

2006, 35(2): 310-314.

摘要 ( 4 )

PDF (325KB) ( 24 )

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草酸钙(CaOxa)是泌尿系结石的主要成份,其生长过程受诸多因素的影响.本文研究了温度对CaOxa晶体成核、生长、聚集、晶相、形貌和溶解度等的影响及其机理,对防治泌尿系结石具有启示作用.但高温地区尿石症发病率高的深层次原因还有待进一步研究.

近化学计量比Tb:Fe:LiNbO3晶体的光谱特性及组分测定

刘金伟;刘国庆;江竹青;陶世荃

2006, 35(2): 315-318.

摘要 ( 4 )

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按化学计量比,用提拉法成功生长了不同掺量的Tb:Fe:LiNbO3晶体,分别测量了掺杂LiNbO3晶体在紫外(313nm)曝光前后的吸收光谱,曝光后吸收谱线整体上移,找到了吸收谱线上移最大的掺量比.并用差热分析仪DTA测量了居里温度Tc, 从而计算出Li/Nb的比例.分析表明,Tb:Fe:LiNbO3晶体的存储性能与掺量、定比有密切的联系,是一种优良的大容量体全息记录材料.

Co(II)(C7H7O2N)2(C12H12N2)2微晶粉体的水热合成及表征

姜敏

2006, 35(2): 319-321.

摘要 ( 5 )

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相关文章 | 计量指标

本文以对氨基苯甲酸和联苯胺为配体,通过水热合成制备Co(II)的配合物,得到Co(II)(C7H7O2N)2(C12H12N2)2(C7H7O2N= p-aminobenzoic acid, p-abza, C12H12N2= Benzidine)深蓝色微晶颗粒.通过元素分析、IR等方法对配合物进行了表征,并通过TG分析对该配合物的热稳定性及热分解机理做了初步探讨.

不同Yb掺质浓度的Yb:Y3Al5O12晶体激光性能的比较

王晓丹;赵志伟;徐晓东;宋平新;姜本学;徐军;邓佩珍;Gilbert Bourdet;J.C. Chanteloup

2006, 35(2): 322-326.

摘要 ( 12 )

PDF (178KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

采用提拉法生长了Yb3+掺质浓度为5;原子分数、 50;原子分数和100;原子分数的Yb:Y3Al5O12(Yb: YAG)晶体,系统地分析了不同Yb3+掺质浓度晶体的吸收光谱和荧光光谱.从吸收峰和吸收系数可以看出采用940nm LD泵浦三种不同浓度的Yb:YAG晶体都比较合适.随着Yb3+离子掺质浓度的增高,晶体中出现的自吸收现象越为明显.通过对三种不同Yb掺质浓度晶体激光性能参数的计算,得出高掺质浓度Yb:YAG和YbAG晶体是有前景的激光增益介质.

溶胶-凝胶/共沸蒸馏法制备单相氧化锆超细粉

段国荣;杨绪杰;陆路德;汪信

2006, 35(2): 327-331.

摘要 ( 8 )

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以氧氯化锆(ZrOCl2·8H2O)为原料,采用溶胶-凝胶法,再配以正丁醇蒸馏工艺,成功地制得了粒径在10nm左右常温下稳定的纯四方相氧化锆纳米粉体.采用X射线衍射、拉曼光谱、DTA和透射电镜对产品进行了表征,计算了常温下亚稳的四方氧化锆晶粒的晶格畸变率.结果表明:传统的溶胶-凝胶工艺再配以正丁醇蒸馏可以制得纳米级氧化锆粒子,晶粒基本呈球型,粒子分散性、均匀性较好.

光子晶体中掺杂激活杂质的光增益研究

沈廷根;吴炳坚;方明阳;盛勇;方云团;马俊峰;焦蓬蓬

2006, 35(2): 332-336.

摘要 ( 5 )

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本文借助光子晶体中二能级原子的自发辐射理论说明缺陷态局域场存在的必然性以及局域场基本性质,为研究掺杂自发辐射的内在规律提供了理论依据, 在此基础上,将自发辐射理论与数值模拟相结合,在缺陷介质中掺入和未掺入激活杂质时, 数值模拟研究一维光子晶体的掺杂局域场特征以及受激辐射增强和透射率大于1现象与光子带隙边缘群速度异常和掺杂层复有效折射率负的虚部之间的内在规律,由此说明如在光子晶体的缺陷介质中掺入激活杂质,复有效折射率具有负的虚部,光子禁带中会出现品质因子非常高的杂质态,具有很大的态密度,这样便可实现自发辐射的增强,出现较强的受激辐射放大, 在带隙的边缘处,光子晶体的群速度较小或群速度异常,受激辐射放大最容易出现在靠近光子带隙的边缘.

低压Ar气氛下用PS/OCS/Si (111)叠层热解制备单晶4H-SiC薄膜及层错缺陷抑制机理

王玉霞;李赟;陈征;何海平;王建文;邹优鸣

2006, 35(2): 337-341.

摘要 ( 11 )

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在一定压力的Ar气氛中对Si (111) 衬底上的PS/OCS(硅的有机化合物)凝胶叠层进行热处理,制备出单晶4H-SiC薄膜.用XPS、XRD、TEM、TED和SEM研究了热处理温度和压力对薄膜结晶质量和晶型的影响.XPS分析显示薄膜中C/Si比为1.09.SEM分析表明薄膜的表面平整,SiC/Si(111)界面清晰、无层错缺陷形成.进一步讨论了层错缺陷形成及抑制的机理.

纳米粉体制备过程中粒子的团聚及控制方法研究

郝顺利;王新;崔银芳;王永明

2006, 35(2): 342-346.

摘要 ( 18 )

PDF (164KB) ( 28 )

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本文综述了纳米粉体中团聚现象的早期研究与近期进展,简单地介绍了团聚的危害,详细分析了团聚体的分类及形成,并采用DLVO理论和双电层理论对团聚的机理进行了理论分析,列举了一些目前在纳米粉体制备过程中常用的控制方法,并对该研究方向的发展趋势及进一步控制纳米粒子团聚问题进行了探讨.

微乳液法制备TiO2纳米粉体及其光催化性能研究

范金山

2006, 35(2): 347-350.

摘要 ( 8 )

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本文以TiCl4为原料,采用阴离子表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵为主的微乳体系制备了TiO2的前驱物,并在500℃合成了平均粒径为10nm的纳米锐钛型TiO2微粉,同时利用纳米TiO2粉体对染料罗丹明B进行了光催化降解,研究了其光催化性能,表明在1 h内对罗丹明B的光催化降解率可达98;以上.

铜、银及铂原子纳米团簇熔点随尺寸非单调变化的分子动力学模拟研究

罗强;王新强;何焕典;毋志民;肖绪洋

2006, 35(2): 351-354.

摘要 ( 10 )

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采用分子动力学方法和原子嵌入法模型势模拟了铜原子、银原子及铂原子纳米团簇的熔化过程,研究了这些金属原子纳米团簇熔点与团簇尺寸的关系,发现各自在小于一定数目原子的金属纳米团簇的熔点不再随尺寸的变小而单调下降,通过对各种团簇溶化前后结构的比较研究,分析了导致这种现象的原因.

用不同粒度的籽晶生长优质宝石级金刚石单晶

臧传义;马红安;肖宏宇;田宇;贾晓鹏

2006, 35(2): 355-358.

摘要 ( 11 )

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利用温度梯度法生长宝石级金刚石单晶过程中,由于籽晶接收碳源能力有限,单一晶种将很难完全吸收扩散下来的碳源,因而导致籽晶的粒度对晶体生长速度和品质都会产生很大影响.随着籽晶粒度的增大,晶体的生长速度增幅非常明显,但不是粒度越大越好,存在临界粒度,超过临界粒度,优质单晶就很难生长.以NiMnCo触媒为例,籽晶粒度由0.5mm增加到2.0mm后,晶体的生长速度可由1.0mg/h提高到3.0mg/h,但籽晶粒度超过2mm后,晶体内部包裹体大幅度增加.

金刚石中应力的定量测量与应用

赵玉成;邢广忠;王明智;王艳辉;陈斌

2006, 35(2): 359-362.

摘要 ( 13 )

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采用光弹性理论对人造金刚石中的应力进行了分析与讨论,发现不同应力状态的金刚石在偏光显微镜下会出现不同的干涉色,并依据干涉色的级序高低对应力进行了分析和测定.结果表明,不同颜色的双折射条纹对应不同的应力值:黄色对应的最大剪应力为0.6659GPa,红色对应的最大剪应力为0.6562GPa,蓝色对应的最大剪应力为0.5704GPa,绿色对应的最大剪应力为0.6448GPa.根据金刚石在偏光显微镜下干涉色的颜色来考察金刚石内部应力水平,从而为金刚石的质量检验提出了一种具有使用价值的简易评价手段.

铁基触媒中金刚石单晶的生长对初生渗碳体的消耗

崔建军;许斌;宫建红;万桂怡;李木森;李洪岩

2006, 35(2): 363-366.

摘要 ( 7 )

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利用扫描电子显微镜观察了不同合成时间的金刚石合成效果以及相应触媒的组织结构,结果表明: 随着压力、温度的升高,铁基触媒全部熔化为液态后约20秒内,熔体对碳的溶解度可达到极大的过饱和程度,生成数量极大的初生渗碳体,同时,金刚石单晶在这种环境中生成.随着时间的延长,金刚石单晶长大、数量增多,熔体对碳的过饱和程度逐渐降低.触媒组织中的初生渗碳体量逐渐减少.分析表明:石墨碳与触媒首先发生冶金反应生成初生渗碳体,在高温高压作用下,初生渗碳体分解,碳原子脱溶,然后堆积到金刚石上.金刚石的生长通过对初生渗碳体的消耗得以进行.

热稳定性混合生长型聚晶金刚石研制

刘衍聪;岳吉祥

2006, 35(2): 367-372.

摘要 ( 13 )

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本文在分析国内外钻探用聚晶金刚石应用及性能基础上,研制开发耐高温界面生长型聚晶金刚石,采用0.05钴片或钴铁片(5;铁)扩散工艺,对工艺组装制备及合成工艺条件进行详细分析论证,建立一种界面生长型聚晶金刚石合成工艺,由于采用强酸处理方法去除残余金属钴存在处理不彻底及对性能影响大缺陷,通过分析国内外聚晶热稳定性基础上,得出生长型聚晶晶间结构即Co存在状态是提高热稳定性关键,通过降低进入聚晶金属Co含量和改变晶间物相及组成,即主要是改变金属Co存在状态,加入适量金属Ti、W,在扩散生长同时生成新的固溶体-硬质合金,即TiC-Co、 WC-TiC-Co固溶体,从而改变聚晶显微组织中残留Co存在状态,并对样品进行电镜扫描、电子探针分析、转靶X射线衍射分析等分析,研究证明其结构基本是D-D键结合的高晶体,晶粒金刚石之间是D-D键错综连接形成多孔网状结构,产品具有高自锐性和热稳定性,热稳定达到1473K.最后对生长机理进行初步分析,并提出界面生长机理.

废旧碱性电池共沉淀法制备锰锌铁氧体的研究

席国喜;张存芳;路迈西

2006, 35(2): 373-377.

摘要 ( 4 )

PDF (572KB) ( 27 )

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以硫酸溶解废旧碱性锌锰电池所得溶液为原料,用NH4HCO3与NH3·H2O组成沉淀剂,采用并加共沉淀法制备出锰锌铁氧体.借助于原子吸收分光光度计对沉淀条件进行优化;借助于XRD、IR等手段对产物组成晶型进行检测;借助于SEM及TEM等手段对产物形貌进行表征;借助于振动样品磁强计对产物磁性能进行检测,并对产物组成进行优化.结果表明:共沉淀的适宜条件为T=50～55℃、pH=6.5～7.5;煅烧温度为1130～1160℃、煅烧时间为2h;产物最佳组成为Mn0.6Zn0.4Fe2O4;其形状近似为球形、具有粒径小、分散均匀、磁性能优良等特点.

Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

臧和贵;常新安;张书峰;陈学安;肖卫强

2006, 35(2): 378-380.

摘要 ( 7 )

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采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.

氮化铝晶须的形态与生长条件的关系

鲁枫;郑瑞生;刘文;敬守勇;武红磊;孙秀明

2006, 35(2): 381-384.

摘要 ( 15 )

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实验以氮化铝粉料为原料,在高纯氮气气氛下用物理气相法在密闭式和半开式钨坩锅内高温生长出氮化铝晶须;并对氮化铝晶须的结晶形态与生长条件的关系进行了分析和探讨.

低位错ZnSe单晶的生长

张旭;李卫;张力强;丁进;王坤

2006, 35(2): 385-387.

摘要 ( 8 )

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采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70;,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.

Co包覆纳米Al2 O3/TiC复合材料的界面电子结构计算及材料制备

师瑞霞;尹衍升;李嘉;龚红宇

2006, 35(2): 388-394.

摘要 ( 4 )

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采用热压烧结法制备了Co包覆纳米Al2O3/TiC复合材料.当热压烧结温度为1650℃时,复合材料的抗弯强度、断裂韧性和硬度分别为782MPa、7.81MPa*m1/2和HRA92.7.Al2O3和Al2O3/TiC的断口以沿晶断裂为主,Co包覆Al2O3/TiC复合材料的断口则为沿晶和穿晶混合断口.利用经验电子理论计算了Co、TiC与α-Al2O3三者的价电子结构及其部分晶面的电子密度,并对三相的晶体学取向进行了预测.

热处理对共沉淀法制备YAG纳米粉体性能的影响

赵郝炎;廖梅松;胡丽丽

2006, 35(2): 395-399.

摘要 ( 4 )

PDF (230KB) ( 23 )

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以Al(NO3)3和Y(NO3)3为原料,采用共沉淀法制备出粒度大小为60～100nm,颗粒呈球形的纯相YAG纳米粉.研究了前驱物在不同条件下热处理对YAG纳米粉体性能的影响,并对前驱物在焙烧过程中的物相变化进行了观察,发现延长前驱物在低温下的干燥时间会导致晶粒尺寸增大,而采用在晶化温度前后分别进行保温的方法可在较低的温度获得纯相的YAG粉体.对比了焙烧温度和保温时间对产物粒度的影响,结果表明:在保证粉体晶化完全的前提下,升高焙烧温度比延长保温时间对晶粒尺寸有更显著的影响.

微乳液法制备二氧化硅包覆ZnS:Mn/CdS纳米晶

姚渊;李冬梅;桑文斌;晏刚

2006, 35(2): 400-403.

摘要 ( 13 )

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采用微乳液法制备核壳结构ZnS:Mn/CdS(～4.5nm)纳米晶,为获得水溶性纳米晶,继续向此微乳液添加硅酸乙酯(TEOS),并使用氨水作为催化剂,通过TEOS水解缩聚反应,在ZnS:Mn/CdS粒子表面生长连续的二氧化硅壳层.采用透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)、光致发光谱(PL)对其表面形貌、结构和光学特性进行表征.ZnS:Mn /CdS纳米粒子表面被二氧化硅壳层完全包覆,粒径大小约为10nm左右,粒子均匀性好.由于二氧化硅相无定形且透光性良好,二氧化硅包覆ZnS:Mn/CdS纳米晶的光学特性与未包覆的ZnS:Mn/CdS极其相似.

化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究

赵有文;董志远;魏学成;段满龙;李晋闽

2006, 35(2): 404-408.

摘要 ( 11 )

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利用化学气相传输法生长了ZnO单晶.在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体.利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30mm、厚2mm左右的ZnO单晶体.比较了不同温度条件下晶体生长的结果并进行热力学过程和现象了分析.用光荧光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质.

陶瓷衬底上多晶硅薄膜太阳电池研究进展

刘萍;杨仕娥;王生钊;王红娟;张宇翔;卢景霄

2006, 35(2): 409-414.

摘要 ( 3 )

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多晶硅薄膜太阳电池在提高电池效率和大幅度降低成本等方面具有极大潜力.陶瓷材料是高温路线制备多晶硅薄膜电池最常用的衬底材料之一.本文介绍了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的制备方法及其电池结构和相关工艺,最后综述了当前该领域的最新研究进展.

快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响

李振豪;王忠华;李琳;普朝光;杨培志

2006, 35(2): 415-419.

摘要 ( 11 )

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相关文章 | 计量指标

采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能.在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×10-8C·cm-2·k-1.

一种新络合盐晶体--K3[InCl6]的合成

陈林;吴伯麟;贺孝一

2006, 35(2): 420-422.

摘要 ( 9 )

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在采用本实验室提出的络盐法制备氧化铟锡(Indium-tin-oxide,简称ITO)纳米粉末的试验过程中发现和制备了一种新络合盐晶体--K3[InCl6].通过XRD、SEM和CCD等测试手段对其物相、形貌、元素成份和结构进行了表征.结果表明:该晶体属单斜晶系,空间群为P21/c,分子式为K3[InCl6],Z=4,其晶胞参数为:a=1.2188nm,b=0.7553nm,c=1.2703nm,α=90.00°,β=108.96°,γ= 90.00°,V=110.598nm3.

溶胶-凝胶法制备Nd:GGG透明陶瓷纳米粉体

雷鸣;刘景和;张礼杰;孙彧;曾繁明

2006, 35(2): 423-426.

摘要 ( 8 )

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溶胶-凝胶法制备出Nd3+∶Gd3Ga5O12(Nd:GGG)透明陶瓷纳米粉体.以TG-DTA、红外光谱、XRD、TEM、电子衍射和电子能谱等测试手段,对前驱体及烧成粉体的结构和形貌进行了研究.结果表明,Nd∶GGG超细粉体的最佳烧成温度为1000℃,粉体样品粒度小、粒径均匀,在70～100nm之间.

单壁碳纳米管储氢密度计算与分析

李辛;马贺;韩东

2006, 35(2): 427-430.

摘要 ( 5 )

PDF (149KB) ( 21 )

相关文章 | 计量指标

借助于分子动力学方法,对单壁碳纳米管的储氢过程进行了模拟.根据得到的管内外H2分子的分布规律,计算了H2分子密度分布曲线,对其结果给出了理论分析和物理解释,提出了单壁碳纳米管储氢的多层吸附机制,定量地计算了碳纳米管储氢量(wt.;).这些为进一步研究单壁碳纳米管储氢问题提供了必要的理论依据.

蓝宝石晶体的生长方向研究

于旭东;孙广年

2006, 35(2): 431-434.

摘要 ( 12 )

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本实验采用提拉法,在中频感应加热单晶炉内,进行了不同生长方向蓝宝石晶体的生长工作,分别取[11-20]和[0001]生长的晶体c面(0001)的晶片.通过应力仪、显微观测和X射线衍射等方式对晶片的位错密度等微观缺陷以及晶体结构进行了检测.实验表明:不同的生长方向生长得到的蓝宝石晶体的质量存在一定的差别,一般情况下,[11-20]方向生长的蓝宝石晶体质量优于[0001]方向生长的晶体.

BN坩埚中的AlN单晶生长

李娟;胡小波;姜守振;王英民;宁丽娜;陈秀芳;徐现刚;王继扬;蒋民华

2006, 35(2): 435-436.

摘要 ( 8 )

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