生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 248-252.

生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响

徐庆安;张景文;杨晓东;巨楷如;贺永宁;侯洵

中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;中国科学院研究生院,北京,100039;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学技术国家重点实验室,西安,710068;西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安,710049;河南大学物理与信息光电子学院,开封,475000

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部"985工程"项目;河南省高校杰出科研创新人才工程项目(0421001500);高等学校博士学科点专项科研项目(20030698008);教育部"211"工程建设项目

Effect of Growth Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Prepared by Laser Molecular Beam Epitaxy

XU Qing-an;ZHANG Jing-wen;YANG Xiao-dong;JU Kai-ru;HE Yong-ning;HOU Xun

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在蓝宝石C面上利用激光分子束外延(L-MBE)的方法,分别在250℃、300℃、350℃、400℃和450℃生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.并进行了X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)谱的分析.测试结果表明,较低温度时,随着生长温度的升高,薄膜的结晶及发光性能得到提高;但是当温度进一步升高,却有所变差.说明利用L-MBE系统制备ZnO薄膜存在一合适的温度范围,并对此机理进行了深入分析.

中图分类号:

TN304.054

徐庆安;张景文;杨晓东;巨楷如;贺永宁;侯洵. 生长温度对L-MBE法制备的ZnO薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 248-252.

XU Qing-an;ZHANG Jing-wen;YANG Xiao-dong;JU Kai-ru;HE Yong-ning;HOU Xun. Effect of Growth Temperature on the Properties of ZnO Thin Films Prepared by Laser Molecular Beam Epitaxy[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 248-252.

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