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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 272-275.

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直流磁控溅射陶瓷靶制备ITO薄膜及性能研究

夏冬林;杨晟;王树林;赵修建   

  1. 武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070
  • 出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    武汉理工大学校科研和教改项目(2003XJJ025)

Study on Optical and Electrical Properties of ITO Thin Films Deposited by DC Reactive Magnetron Sputtering

XIA Dong-lin;YANG Sheng;WANG Shu-lin;ZHAO Xiu-jian   

  • Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要: 以10;质量分数SnO2和90;质量分数In2O3烧结成的ITO氧化物陶瓷为靶材,采用直流磁控反应溅射法在玻璃基片上制备ITO透明导电薄膜,研究了基片温度和氧分压条件对ITO薄膜的物相结构和光电性能的影响.实验结果表明:ITO薄膜的方块电阻随衬底温度的升高而下降,而可见光透过率增大;ITO薄膜可见光透过率和方块电阻随氧分压的增加而增大.

关键词: 直流磁控溅射;ITO薄膜;衬底温度;透过率

中图分类号: