离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 280-284.

离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

刘焕林;郝瑞亭;杨宇

云南大学材料科学与工程系,昆明,650091;中国科学院半导体研究所,北京,100083

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
云南省自然科学基金(2002E0009M)

Preparation and Infrared Absorption Properties of Si/Ge Multilayer Films by Ion Beam Sputtering

LIU Huan-lin;HAO Rui-ting;YANG Yu

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用离子束溅射方法在Si衬底上制备Si/Ge多层膜.通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列Si/Ge多层膜样品.通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系.在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的Si/Ge多层膜.通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能.

中图分类号:

刘焕林;郝瑞亭;杨宇. 离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 280-284.

LIU Huan-lin;HAO Rui-ting;YANG Yu. Preparation and Infrared Absorption Properties of Si/Ge Multilayer Films by Ion Beam Sputtering[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 280-284.

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离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究

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