碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 306-309.

碲锌镉单晶体的正电子寿命研究

唐世红;赵北君;朱世富;王瑞林;高德友;陈俊;张冬敏;何知宇;方军;洪果

四川大学材料科学与工程学院,成都,610064

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
中国科学院资助项目(60276030);广东省博士启动基金(20020610023)

Study on the Positron Annihilation Lifetime in Cd1-xZnxTe Crystal

TANG Shi-hong;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;WANG Rui-lin;GAO De-you;CHEN Jun;ZHANG Dong-min;HE Zhi-yu;FANG Jun;HONG Guo

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 用正电子湮没技术(PAT)研究了原料富Cd改进布里奇曼法生长的碲锌镉单晶样品退火前后的缺陷.刚生长的样品缺陷寿命值较高,其内部存在的点缺陷主要是占优势的Cd空位,用富Cd同成份源Cd1-xZnxTe气氛对样品在不同温度下等时退火后,发现样品的正电子寿命参数对退火温度表现出很强的依赖关系,通过对样品退火过程中空位的迁移、聚集及消失情况分析,得出较适宜的退火温度约为700℃.

中图分类号:

唐世红;赵北君;朱世富;王瑞林;高德友;陈俊;张冬敏;何知宇;方军;洪果. 碲锌镉单晶体的正电子寿命研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 306-309.

TANG Shi-hong;ZHAO Bei-jun;ZHU Shi-fu;WANG Rui-lin;GAO De-you;CHEN Jun;ZHANG Dong-min;HE Zhi-yu;FANG Jun;HONG Guo. Study on the Positron Annihilation Lifetime in Cd1-xZnxTe Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 306-309.

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