Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 378-380.

Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究

臧和贵;常新安;张书峰;陈学安;肖卫强

北京工业大学材料科学与工程学院,北京,100022

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20

Study on Conductivity along c Axis of Ga3+:KTP Crystal

ZANG He-gui;CHANG Xin-an;ZHANG Shu-feng;CHENG Xue-an;XIAO Wei-qiang

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用ICP-AES法测定了Ga3+:KTP晶体中掺质Ga3+离子含量,并由此得出Ga3+离子在相应晶体生长体系中的平均分配系数为0.0373;采用静电计和多频测试仪测定并计算出Ga3+:KTP晶体c向的电导率,将其与纯KTP晶体者进行比较.结果发现,Ga3+:KTP晶体c向电导率比纯KTP晶体c向电导率在交流情况下最大降低了两个数量级以上.文中对晶体c向电导率的降低机理进行了探讨.

中图分类号:

O738

臧和贵;常新安;张书峰;陈学安;肖卫强. Ga3+:KTP晶体c向电导率的研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 378-380.

ZANG He-gui;CHANG Xin-an;ZHANG Shu-feng;CHENG Xue-an;XIAO Wei-qiang. Study on Conductivity along c Axis of Ga3+:KTP Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 378-380.

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