低位错ZnSe单晶的生长

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 385-387.

低位错ZnSe单晶的生长

张旭;李卫;张力强;丁进;王坤

人工晶体研究院,北京,100018

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家科技攻关项目(2002AA325030)

Growth of ZnSe Single Crystal with Low Dislocations

ZHANG Xu;LI Wei;ZHANG Li-qiang;DING Jin;WANG Kun

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70;,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.

中图分类号:

O782

张旭;李卫;张力强;丁进;王坤. 低位错ZnSe单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 385-387.

ZHANG Xu;LI Wei;ZHANG Li-qiang;DING Jin;WANG Kun. Growth of ZnSe Single Crystal with Low Dislocations[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 385-387.

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