快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (2): 415-419.

快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响

李振豪;王忠华;李琳;普朝光;杨培志

昆明物理研究所,昆明,650223

出版日期:2006-04-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
云南省自然科学基金(2002C0008Z)

Influence of Rapid Thermal Process on Structure of PZT Ferroelectric Thin Film

LI Zhen-hao;WANG Zhong-hua;LI Lin;PU Chao-guang;YANG Pei-zhi

Online:2006-04-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用射频磁控溅射方法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出(PZT)铁电薄膜,在550℃、600℃、650℃、700℃几个温度下对薄膜进行了快速退火热处理,并在退火处理后用X射线衍射、原子力显微镜和热释电系数测试系统研究了PZT铁电薄膜的薄膜结构、表面形貌及热释电性能.在650℃快速退火后,PZT铁电薄膜已经形成较好的钙钛矿相结构,并获得了较好的热释电性能,热释电系数达到1.5×10-8C·cm-2·k-1.

中图分类号:

O484

李振豪;王忠华;李琳;普朝光;杨培志. 快速退火对PZT铁电薄膜结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(2): 415-419.

LI Zhen-hao;WANG Zhong-hua;LI Lin;PU Chao-guang;YANG Pei-zhi. Influence of Rapid Thermal Process on Structure of PZT Ferroelectric Thin Film[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(2): 415-419.

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