Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 456-460.

Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究

杨立军;孟庆元;李根;李成祥;钟康游

哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001

出版日期:2006-06-15 发布日期:2021-01-20

Molecular Dynamics Study on the 60° Dislocation Motion in Si Crystal

YANG Li-jun;MENG Qing-yuan;LI Gen;LI Cheng-xiang;ZHONG Kang-you

Online:2006-06-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在Si晶体中建立了60°位错偶极子模型并通过Parrinello-Rahman方法施加剪应力,使用分子动力学方法研究了60°位错在不同的温度和剪应力作用下的运动特性.观察到了位错速度与剪应力成正比关系;而温度对位错速度的影响,随着外加剪应力的不同呈现出三种趋势:(1) 低剪应力作用下,位错速度与温度成正比关系;(2)剪应力达到0.6GPa附近时,位错速度与温度呈反比关系,声子拖动效应开始起作用;(3)当剪应力达到2GPa时,位错速度稳定在某一特定值,不再明显随温度的变化而变化.

中图分类号:

O772

杨立军;孟庆元;李根;李成祥;钟康游. Si晶体中60°位错运动的分子动力学研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 456-460.

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