结晶生长的化学键合理论

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 598-603.

结晶生长的化学键合理论

许东利;薛冬峰

大连理工大学化工学院材料化工系精细化工国家重点实验室,大连,116012

发布日期:2021-01-20
基金资助:
教育部全国优秀博士学位论文作者专项基金(200322);国家自然科学基金(20471012)

Chemical Bonding Theory of the Crystal Growth

XU Dong-li;XUE Dong-feng

Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 针对一般晶体的生长过程,在测定相应溶液(熔体)组成结构的基础上,我们引入了晶体生长过渡相区的概念,并采用键价模型来衡量生长过程中发生变化的化学键的键强度.过饱和溶液(熔体)中的生长单元经过生长过渡相区时,依据彼此之间弱的化学键合作用来微调其内部强的化学键,并以单个生长单元或者生长单元的简单连接体的形式键合进入晶格.在整个结晶生长过程中,生长单元之间弱的键合作用对整个结晶过程(生长速度、晶相的形成)起着决定性作用;同时,中等强度的化学键在生长过渡相区中的变化情况对晶体的最终形貌具有重要影响.

中图分类号:

许东利;薛冬峰. 结晶生长的化学键合理论[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 598-603.

XU Dong-li;XUE Dong-feng. Chemical Bonding Theory of the Crystal Growth[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(3): 598-603.

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