人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (3): 608-611.
阮青锋;霍汉德;覃西杰;卢福华;周卫宁;张昌龙;邱志惠;雷威;张良钜
发布日期:
2021-01-20
基金资助:
RUAN Qing-feng;HUO Han-de;QIN Xi-jie;LU Fu-hua;ZHOU Wei-ning;ZHANG Chang-long;QIU Zhi-hui;LEI Wei;ZHANG Liang-ju
Published:
2021-01-20
摘要: 本文报道了水热法KTP晶体的生长工艺及晶体生长形态,系统研究了水热法KTP晶体的宏观缺陷,其宏观缺陷主要为添晶、生长脊线、裂隙和包裹体.提出了晶体生长工艺的改进措施,如提高原材料和试剂的纯度、调整籽晶的悬挂方式、减少籽晶的尺寸等,都可以减少晶体的宏观缺陷,提高晶体的质量.//(011)切向的籽晶生长的晶体质量较高,且能很好地应用于激光器件中.
中图分类号:
阮青锋;霍汉德;覃西杰;卢福华;周卫宁;张昌龙;邱志惠;雷威;张良钜. 水热法KTP晶体生长与宏观缺陷研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(3): 608-611.
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