CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 715-718.

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

张冬敏;朱世富;赵北君;高德友;陈俊;唐世红;方军;程曦

四川大学材料科学系,成都,610064

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60276030)

Surface Passivation Process of the Wafers for CdZnTe Detector

ZHANG Dong-min;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;GAO De-you;CHEN Jun;TANG Shi-hong;FANG Jun;CHENG Xi

Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.

中图分类号:

O799

张冬敏;朱世富;赵北君;高德友;陈俊;唐世红;方军;程曦. CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 715-718.

ZHANG Dong-min;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;GAO De-you;CHEN Jun;TANG Shi-hong;FANG Jun;CHENG Xi. Surface Passivation Process of the Wafers for CdZnTe Detector[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(4): 715-718.

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