人工晶体学报

景芳丽;吴以成;傅佩珍;祖延雷

2006, 35(4): 673-676.

摘要 ( 7 )

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采用浸没籽晶法以CaO-Li2O-B2O3为助熔剂生长出La2CaB10O19单晶.籽晶的方向对晶体质量有较大的影响.晶体结构导致生长出的晶体均呈现板状外形,并且容易沿(001)面解理;捆绑晶体的铂丝嵌入晶体加剧了晶体的解理.然而解理和铂丝嵌入对不同方向籽晶生长出晶体的质量影响各不相同,对于晶体生长过程溶质输运的影响也不相同,实验发现,[101]方向为本实验条件下最佳的晶体生长方向.

近化学计量比铌酸锂晶体组分测定与缺陷观察

黄庆捷;王继扬

2006, 35(4): 677-681.

摘要 ( 12 )

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采用助熔剂提拉法生长得到近化学计量比LiNbO3晶体.用多种方法测定了晶体组分,结果表明生长得到的晶体中[Li2O]含量为49.80;摩尔分数;对晶体缺陷的研究表明晶体质量有待提高,并分析了晶体中出现包裹物的原因.

采用溶胶凝胶前驱物制备氮化镓纳米晶体

邱海林;王迎春;许光燕;曹传宝

2006, 35(4): 682-685.

摘要 ( 7 )

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采用溶胶凝胶法制备的前驱物进一步在900℃,氨气气氛中氮化得到粒径相对均匀、平均粒径为11.2nm的六方相氮化镓纳米晶体.XRD, HRTEM, SAED, EDS, FTIR被用于表征产物的微结构及组成.室温光致发光光谱显示产物位于3.46eV的带边发光峰和从 2.6～3.2eV 的宽的发光带.产物可直接用于制备氮化镓量子点复合材料和制备高质量的一维氮化镓晶体.

LaCl3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的制备

陈红兵;周昌勇;杨培志;蒋成勇;潘建国

2006, 35(4): 686-691.

摘要 ( 8 )

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本文报道了LaCl3:Ce3+晶体生长用无水氯化镧的氯化焙烧脱水制备方法.应用差热/热重分析研究了LaCl3·7H2O的脱水过程,以寻求避免发生水解反应的有效途径;以LaCl3·7H2O为初始原料,采用氯化氢保护下的焙烧脱水处理进行无水氯化镧的制备,通过系列实验掌握了氯化焙烧脱水处理的最佳工艺条件;为验证所制备无水氯化镧的纯度,采用该原料进行了LaCl3:Ce3+单晶生长.结果表明,在氯化焙烧脱水处理过程中,保持通入足量干燥氯化氢气体,控制焙烧温度于220～230℃,经过6～7h焙烧处理,能够制备出较高纯度的无水氯化镧,所获原料可成功地用于生长无色透明的LaCl3:Ce3+单晶.

退火对Nd,Cr:GSGG激光晶体吸收光谱的影响

孙敦陆;张庆礼;江海河;殷绍唐

2006, 35(4): 692-695.

摘要 ( 9 )

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本文应用吸收光谱法,对提拉法生长的Nd,Cr:GSGG晶体在不同气氛下退火后的光谱变化进行了研究.氧化气氛下退火后的吸收光谱中,在1μm处出现了由于晶体中存在Cr4+离子所引起的两个吸收带,被称为1μm吸收损失.还原气氛(CO和H2)下退火后的吸收光谱中,在1μm处的吸收带基本消失,这对于提高激光效率是非常有利的.此外,在642nm处的吸收带强度有一定的减弱.这些数据对于晶体后处理工艺的改进和激光器设计具有重要的参考价值.

数值模拟自然对流对直拉单晶硅的影响

宇慧平;隋允康;王敬;安国平

2006, 35(4): 696-701.

摘要 ( 6 )

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在直拉单晶硅生长的过程中,自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大.本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟,在低雷诺数时采用层流模型,高雷诺数时采用紊流模型,Gr的变化范围从3×106到3×1010,这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统.数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关,还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关.当Gr＞108时,熔体内确实存在紊流现象,层流模型不再适合, 随着Gr的增大,紊流现象加剧,轴心处的等温线变得更为陡峭,不利于晶体生长.

ADP及KDP晶体纵向压电系数d33的计算及其验证

王越;常新安;刘国庆;蒋毅坚

2006, 35(4): 702-704.

摘要 ( 10 )

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ADP(磷酸二氢铵)和KDP(磷酸二氢钾)晶体都属于42m点群,是20世纪早期的著名压电晶体,具有易于大尺寸生长的优点.但它们在主轴坐标系中只有厚度切变压电系数(d14, d36),没有纵向压电系数(d33,k33),而这种纵向压电效应在实际应用中较多.本文通过利用坐标变换的方法,计算了这两种晶体纵向压电性能在空间的分布.通过计算,首先我们发现这两种晶体在空间存在着纵向伸缩压电效应,其次我们还得到了它们在空间的纵向压电系数的最大值和切型.ADP晶体:d33,max=8.66×10-12C/N,切型为(xywl)45°/50°;k33,max=0.07,切型为(xywl)45°/50°.KDP晶体:d33,max=4.54×10-12C/N,切型为(yzlw)45°/55°;k33,max=0.04,切型为(yzlw)45°/48°.ADP晶体的纵向压电性能略好于KDP.另外,本文还分别对上述计算结果进行了实验验证,实验结果与计算结果基本一致.对两种晶体压电器件的进一步开发和利用具有理论指导意义.

水热法生长棒状MnOOH和MnO2晶体

张元广;刘奕;郭范

2006, 35(4): 705-708.

摘要 ( 6 )

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以高锰酸钾(KMnO4)和硫酸铵((NH4)2SO4)为主要原料,在150℃反应16h,水热法生长了棒状MnOOH晶体,然后以合成的棒状MnOOH晶体为前驱物,在硫酸溶液中,130℃水热反应12h,生长了棒状MnO2晶体.探索了KMnO4和(NH4)2SO4的用量以及反应温度对合成棒状MnOOH晶体的影响.利用X射线粉末衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射等(SAED)等手段对产物进行了表征.结果表明,产物MnOOH为单斜结构的纯相,呈现棒状形貌,其平均直径约为72nm, 长度近9.2μm,显示单晶特性;产物MnO2为四方结构的纯相,呈现棒状形貌,其平均直径约为83nm, 长度达11μm,显示单晶特性.

Yb0.140Gd0.813La0.047VO4晶体的生长、光谱和激光损伤阈值

庄乃锋;胡晓琳;赵斌;陈建中;高绍康

2006, 35(4): 709-714.

摘要 ( 5 )

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采用Czochralski方法生长出了Yb0.140Gd0.813La0.047VO4晶体,并测试了Yb3+与La3+在GdVO4晶体中的有效分凝系数.实验结果表明,掺入La3+可在一定程度上提高晶体的激光损伤阈值和晶体生长过程中的稳定性.此外,La3+的引入还有利于减缓高浓度Yb3+掺杂晶体中的荧光捕获效应和浓度猝灭效应的激光损伤阈值.Yb3+在该晶体中具有很宽的吸收半峰宽和荧光半峰宽,分别为26nm和47nm,具有较大的吸收截面和发射截面,分别为2.26×10-20cm2和0.96×10-20cm2,因此该晶体有望用作可调谐激光晶体和飞秒激光晶体.

CdZnTe探测器晶片的表面处理工艺

张冬敏;朱世富;赵北君;高德友;陈俊;唐世红;方军;程曦

2006, 35(4): 715-718.

摘要 ( 7 )

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报道了CdZnTe探测器晶片表面钝化工艺对其性能的影响.先采用金相砂纸和化学腐蚀剂对CdZnTe晶片进行机械和化学抛光,然后分别用H2O2溶液和NH4F/H2O2溶液对晶片进行湿法钝化;再用ZC36微电流测试仪和扫描电镜测试研究了不同钝化时间对CdZnTe晶片电学性质和表面形态的影响.结果发现:用NH4F/H2O2溶液对CdZnTe探测器晶片进行钝化30min,晶片表面形成一层完整的高阻氧化层,表面漏电流最小、晶体电阻率提高1～2个数量级,达到109～10Ω·cm,适合探测器的制备.

[100]金刚石薄膜的辐照响应特性研究

任玲;王林军;苏青峰;刘健敏;徐闰;彭鸿雁;史伟民;夏义本

2006, 35(4): 719-723.

摘要 ( 8 )

PDF (194KB) ( 28 )

相关文章 | 计量指标

采用热丝辅助化学气相沉积(HFCVD)方法生长得到25μm厚的[100]取向金刚石膜,用以制备辐射探测器.在100 V偏压下,测得暗电流为16.1 nA,55Fe X射线(5.9 keV)和241Am α粒子(5.5 MeV)辐照下的净光电流分别为15.9nA和7.0nA.光电流随时间的变化先快速增加随后由于"pumping"效应逐渐达到稳定.X射线和α粒子辐照下的平均电荷收集效率分别为45;和19;,并由Hecht理论计算得到对应的电荷收集距离为11.25μm和4.75μm.

等径角挤压Al-4.25;Cu多晶材料的裂纹产生与扩展

毕见强;孙康宁;尹衍升;王素梅;范润华

2006, 35(4): 724-727.

摘要 ( 6 )

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本文使用内角为90°、外角为30°的模具对2A12铝合金进行了等径角挤压实验,并采用HitachiS-800透射电镜(TEM)研究了材料内部裂纹的产生和扩展.结果表明:挤压两次后的试样内部没有产生微裂纹,挤压三次后的试样中观察到了微裂纹的出现,而位错塞积是裂纹产生和扩展的主要因素.所以,2A12铝合金等径角挤压过程中,应该在两次挤压后进行退火处理,保证后续挤压的顺利进行.

Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

张雅婷;徐章程;李菲晖

2006, 35(4): 728-731.

摘要 ( 6 )

PDF (213KB) ( 29 )

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采用电化学沉积技术在Si衬底上沉积了Cu膜.场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒, 并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关.在Si(100) 衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加.在相同沉积条件下,在斜切角较小的Si(111)和Si(100)衬底上择优取向面都是铜 (220) 面,而在斜切角为4°的Si(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面.

Bi2Te3纳米晶溶剂热合成及表征

刘松;曹传宝;籍凤秋;安晓强;许亚杰

2006, 35(4): 732-735.

摘要 ( 6 )

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相关文章 | 计量指标

采用溶剂热方法,在水合肼溶剂中通过添加适量表面活性剂十二烷基硫酸钠(SDS),在180 ℃下反应10 h后成功地制备了不同形貌的纯相Bi2Te3纳米晶,包括纳米颗粒、纳米棒和花瓣状纳米片.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量色散谱仪(EDS)对产物进行了表征,探讨了表面活性剂用量和温度对产物形貌的影响,提出了可能的形成机理.

水热法合成SnO2金红相纳米柱和亚微米晶体

张子生;张晓军;王伟伟;李军;刘超;韦志仁

2006, 35(4): 736-738.

摘要 ( 9 )

PDF (301KB) ( 29 )

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本文采用水热法,以SnCl4·5H2O为前驱物,在180℃,填充度为68;,反应时间8h,强酸环境条件下合成了SnO2纳米金红相晶体,直径约为5～10nm,长30～100nm.加入一定量的NaOH,调节溶液pH值为强碱性(pH=11),同样条件下也合成了SnO2金红相纳米柱晶体,长200nm、直径10～20nm.提高水热反应的温度为430℃,矿化剂为3mol/L NaOH,反应时间24h,合成了亚微米金红相SnO2晶体,最大线度为300nm.

p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响

范红兵;张晓丹;赵颖;孙建;魏长春;谷士彬;张存善

2006, 35(4): 739-742.

摘要 ( 5 )

PDF (262KB) ( 26 )

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本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO 薄膜.研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响.霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm- 3 .样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳.

高强、低致密度Ni3Al/HAP生物陶瓷复合材料的制备与性能研究

孙昌;孙康宁;李爱民;刘爱红;刘晓飞

2006, 35(4): 743-746.

摘要 ( 5 )

PDF (198KB) ( 27 )

相关文章 | 计量指标

本文主要对Ni3Al/HAP生物陶瓷复合材料的制备及性能进行了初步研究.采用XRD分析了复合材料的相组成,通过组织学观察考察了复合生物陶瓷的生物相容性.研究结果表明:复合材料具有较好的力学性能和生物相容性.

单壁碳纳米管储氢中管外H2势能的拟合函数

郭连权;马贺;王帅;韩东;李辛

2006, 35(4): 747-752.

摘要 ( 6 )

PDF (189KB) ( 41 )

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H2分子与管的作用势能曲线是碳纳米管储氢模拟研究中的一项重点内容,建立势能曲线相应的函数表达式更具有理论价值和实际意义.本文从Lennard-Jones势出发,建立了H2分子与C原子之间的作用势能模型,借助于分子动力学(MD)方法,模拟计算了H2分子与管的作用势能曲线.通过对管外H2分子势能曲线的拟合,找到了最佳参数,建立了管外统一形式的势能数学表达式,为碳纳米管的储氢研究提供了相应的理论依据.

不同工艺制备纳米氧化锆的研究

王焕英;国占生;邢广恩;宋秀芹

2006, 35(4): 753-756.

摘要 ( 7 )

PDF (193KB) ( 22 )

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采用一般化学沉淀法(正向和反向)、均匀沉淀法和水热法来制备纳米氧化锆,研究了制备工艺对ZrO2粒度分布、粒径大小、团聚程度和形貌等的影响,结果表明采用反向沉淀法制备的纳米ZrO2粒子颗粒细小、均匀性好;均匀沉淀法中微波诱导要优于常规加热法,并讨论了添加剂对纳米氧化锆粒子的影响.

大尺寸高浓度掺杂Nd:GGG和Nd:YAG晶体的光谱性质

姜本学;赵志伟;徐晓东;宋平新;王晓丹;徐军;邓佩珍

2006, 35(4): 757-760.

摘要 ( 9 )

PDF (188KB) ( 23 )

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由于Nd3+离子半径0.112nm和Y3+离子半径0.101nm相差10.9;,使得Nd3+离子非常难于进入YAG晶体中.我们用温度梯度法生长了大尺寸高浓度(2.8at;)的Nd:YAG晶体,同时与用提拉法Nd:GGG晶体进行了比较.分析了高浓度掺杂Nd:GGG和 Nd:YAG晶体浓度猝灭问题.研究了不同浓度掺杂的猝灭效应.在同样的掺杂浓度下,我们发现它们的猝灭程度不同,其原因是两种晶体中ΔE(-)mism和ΔE(+)mism不同.

孪生对靶直流磁控溅射制备ZnO:Al薄膜及其特性研究

李微;孙云;何青;刘芳芳;李凤岩

2006, 35(4): 761-764.

摘要 ( 10 )

PDF (191KB) ( 19 )

相关文章 | 计量指标

本文以ZnO:Al(ZAO)陶瓷为靶材,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出高质量的铝掺杂氧化锌透明导电膜,研究了该薄膜的结构、光电及力学特性.采用孪生对靶制备ZAO薄膜可使样品避开等离子体直接轰击,减少基底薄膜的损伤.制备的薄膜具有结晶程度高、电阻率低、迁移率高等优点.ZAO薄膜的最低电阻率达到了4.47×10-4Ω·cm,在可见光区的平均透过率达到85;以上,非常适合做为铜铟硒(CIS)薄膜太阳电池窗口层.

非极性GaN薄膜及其衬底材料

周健华;周圣明;邹军;黄涛华;徐军;谢自力;韩平;张荣

2006, 35(4): 765-771.

摘要 ( 8 )

PDF (262KB) ( 24 )

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本文分析了在不同衬底上生长无极性GaN薄膜的情况,这些衬底主要包括γ-LiAlO2、r面蓝宝石等.通常在蓝宝石上制备的GaN外延膜是沿c轴生长的,而c轴是GaN的极性轴,导致GaN基器件有源层量子阱中出现很强的内建电场,发光效率会因此降低,发展非极性面外延,有望克服这一物理现象,使发光效率提高.

低温AlN插入层降低硅基GaN膜微裂

冯玉春;刘晓峰;王文欣;彭冬生;郭宝平

2006, 35(4): 772-776.

摘要 ( 6 )

PDF (252KB) ( 24 )

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为了降低MOCVD外延硅基GaN膜层中的应力、减少硅基厚GaN层的微裂;在高温GaN层中插入低温AlN.低温AlN插入层可平衡HT-GaN生长和降温过程引起的张应力,降低厚膜外延层的微裂,已研制出厚度超过1.8微米无微裂GaN外延层.本文重点研究了低温AlN生长温度对HT-GaN材料的影响,给出了较佳的LT-AlN生长温度.采用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD),对样品进行了测试分析.试验和测试结果表明低温AlN的生长温度至关重要,生长温度过低影响GaN晶体质量,甚至不能形成晶体;生长温度过高同样会影响GaN结晶质量,同时降低插入层的应力平衡作用;实验结果表明最佳的LT-AlN插入层的生长温度为680℃左右.

用热CVD法制备片状碳纳米材料的研究

李明华;张海燕;魏爱香;陈易明;王力;朱清锋

2006, 35(4): 777-780.

摘要 ( 5 )

PDF (261KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

采用阳极氧化法在草酸溶液中制备了孔径约为100nm的多孔氧化铝(AAO)模板.利用此模板在不负载任何催化剂的条件下,利用热CVD装置制备出片状碳纳米薄膜,并对此片状薄膜做了SEM,TEM显微观察和EDS能谱分析,对其形成条件和生长机理等方面做了探讨分析,为在氧化铝模板上生长包括管状、片状、棒状等形状的碳纳米材料提供了一定的借鉴意义.

不同耦合间隙对大直径SiC晶体生长感应加热系统的影响

张群社;陈治明;李留臣;蒲红斌;封先锋;陈曦

2006, 35(4): 781-784.

摘要 ( 19 )

PDF (170KB) ( 37 )

相关文章 | 计量指标

本文采用有限元分析方法系统地研究了大尺寸SiC晶体PVT法生长装置中的加热组件不同的耦合间隙对生长系统中的感应磁场、感生电流和焦耳热的影响;分析比较了取不同的耦合间隙时系统达到热平衡状态所需时间的不同.得出了在中频电源的输出功率和频率都不变的前提下,在线圈匝数已固定的条件下,通过缩小耦合间隙可以提高系统的加热效率,缩短系统达到热平衡状态所需时间的结论.

中红外非线性光学晶体的研究进展

董春明;王善朋;陶绪堂

2006, 35(4): 785-789.

摘要 ( 21 )

PDF (182KB) ( 29 )

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本文综述了几种重要的中红外非线性光学晶体的研究进展,分别详细介绍了各自的结构特点、非线性性能以及他们在频率变换方面的重要应用.提出了在中红外非线性光学晶体生长中遇到的困难,并探讨了解决问题的途径.认为生长性能优异、足够尺寸的红外非线性光学晶体具有非常重要的应用价值,并对中红外非线性光学晶体的研究进行了展望.

锰锌铁氧体纳米粉体的烧结过程及其性能测试分析

崔银芳;王新;姜延飞;李养贤

2006, 35(4): 790-794.

摘要 ( 7 )

PDF (163KB) ( 30 )

相关文章 | 计量指标

本文研究了锰锌铁氧体纳米粉体的烧结过程及晶粒生长规律,采用传统成型工艺和分段烧结方式,研究坯体的致密化和晶粒生长情况.分别采用阿基米德法、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对烧结体的密度、微观结构和相组成进行测试分析.烧结体的磁性能用振动样品磁强计(VSM)来测定.另外,根据[311]衍射峰的半高宽,利用Scherrer公式计算烧结体晶粒的大小.结果表明,在900℃烧结时,烧结体的密度达到了功率锰锌铁氧体材料所需的最佳密度,此时晶粒生长较好,得出900℃为Mn-Zn铁氧体纳米粉体的最佳烧结温度,此时烧结体的密度为4.8245g/cm3.

Sr2+对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响

钟富兰;朱进;陈建中;庄乃锋

2006, 35(4): 795-799.

摘要 ( 9 )

PDF (175KB) ( 20 )

相关文章 | 计量指标

本文报道了Sr2+离子掺杂对GdVO4晶体生长和拉曼性能的影响.SrxGd1-xVO4晶体粉末经X射线粉末衍射分析,其结果仍属四方晶系,具有锆英石结构.实验表明,高掺杂浓度时,Sr2+离子不易取代Gd3+离子进入GdVO4晶体的晶格,易导致SrxGd1-xVO4晶体开裂和产生包裹体.XPS实验证明,SrxGd1-xVO4晶体中钒元素为+5价.同时测试了常温下SrxGd1-xVO4晶体的拉曼光谱,发现随着Sr2+离子浓度增加,在884cm-1处的VO4反对称伸缩振动逐渐增强,表明Sr2+离子的掺入影响了GdVO4晶体的拉曼性能.

掺Nd钒酸盐晶体热导率的拉曼光谱研究

赵朋;张海鹍;苏燕;周城;任妙娟;张仲

2006, 35(4): 800-803.

摘要 ( 10 )

PDF (133KB) ( 29 )

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运用晶格动力学观点推导了热导率与积分拉曼散射强度的关系,测量了Nd:YVO4 (简称NYV)和Nd:GdVO4 (简称NGV)不同配置下的高温拉曼光谱和其a、c向的热导率,理论与实验非常吻合.

水热-均匀沉淀法制备Zr(OH)x/NH4Cl复合结构枝蔓晶

孙笑非;宋秀芹

2006, 35(4): 804-808.

摘要 ( 8 )

PDF (281KB) ( 16 )

相关文章 | 计量指标

本文以ZrOCl2·8H2O和CO(NH2)2为原料,采用水热-均匀沉淀法,制备出了一种新型Zr(OH)x/NH4Cl复合结构对枝蔓晶,并用XRD、SEM、TEM、EDS对产品进行表征.对枝蔓晶的结构和形成进行了分析认为NH4Cl通过氢键作用对Zr(OH)x 形成不完全包覆,并通过晶体生长方式形成枝蔓晶.

熔盐法合成片状SrBi4Ti4O15粉体

张柯;黄金亮;李丽华

2006, 35(4): 809-811.

摘要 ( 6 )

PDF (232KB) ( 16 )

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采用NaCl-KCl熔盐法合成了生长各向异性的片状SrBi4Ti4O15粉体,用XRD分析了粉体相的结构,用SEM观察了粉体的微观形貌,讨论了不同预烧温度对合成物结构和微观形貌的影响.与固相法相比,熔盐法合成的粉体具有(00l)择优生长的优点.在850～1050℃之间,合成粉体的片状结构趋于明显,粉体生长各向异性随温度的升高呈现出先增加后减小的趋势,各向异性明显的SrBi4Ti4O15粉体的最佳合成温度为900～1000℃.

Cr:KNSBN晶体两波耦合及其图像存储

郭庆林;魏丽静;苏红新;郭建新;张金平;怀素芳;傅广生

2006, 35(4): 812-815.

摘要 ( 4 )

PDF (128KB) ( 18 )

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本文以He-Ne 632.8nm激光为写入光,在非同时读出条件下,实验研究了e偏振光写入Cr:KNSBN晶体两波耦合过程中信号光和泵浦光的透射光强随时间的变化,以及单束泵浦光的透射光强随时间的变化,实验结果表明,泵浦光损失的能量几乎全部转移到了信号光方向,基本不存在散射光;并以二值化图像作为物在晶体内进行了图像存储实验,其再现图像清晰,信噪比高,没有观察到扇形光的影响.

柠檬酸盐法制备超细Zn(Al)O的微波介电性能研究

曾国勋;张海燕;胡礼初;王力;陈易明

2006, 35(4): 816-819.

摘要 ( 5 )

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本文研究了利用柠檬酸盐法制备的Zn(Al)O的介电性能.XRD分析显示先驱体燃烧后制成了单相的Zn(Al)O.热重分析显示先驱体易发生不完全燃烧,产生炭黑残留.燃烧产物经600℃,90min加热除去炭黑.2～18GHz的介电谱测量结果显示含炭黑的Zn(Al)O的复介电常数无论实部还是虚部均高于不含炭黑Zn(Al)O;介电谱还显示Zn(Al)O分别在X、Ku波段存在两个损耗峰.其中X波段的损耗峰位易受炭黑的影响,发生移动;Ku波段的损耗峰较稳定.文章理论计算Zn(Al)O微波吸收率.显示出Zn(Al)O对微波具有良好的透波作用.因此,当Zn(Al)O做红外反射材料时,不影响底层材料对微波的吸收.

纳米薄膜材料的蓝光发射特性及其研究进展

彭英才;傅广生;王英龙

2006, 35(4): 820-825.

摘要 ( 9 )

PDF (195KB) ( 21 )

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蓝光发射是纳米半导体材料发光特性的一个重要研究方向.本文首先简要介绍了蓝光发射的物理机制,接着重点评述了几种主要纳米薄膜材料,如ZnO、GaN、CdS和Si纳米结构等,近3～5年内在蓝发光射特性方面所取得的最新研究进展.最后,对存在问题和发展前景进行了讨论与展望.

染料吸附对氯化银微晶表面结构的影响

李晓苇;李莉;张荣香;张继县;江晓利;杨少鹏

2006, 35(4): 826-829.

摘要 ( 8 )

PDF (190KB) ( 16 )

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利用微波吸收相敏检测技术测量了纯氯化银微晶的光电子衰减曲线,再结合光电子衰减动力学方程,确定了微晶表面和内部的电子陷阱参数,并以此为基础分析了染料的吸附对微晶表面结构的影响.发现吸附不仅会在微晶表面产生填隙银离子同时会对表面陷阱产生修饰作用,且随着染料吸附量的减少,产生银离子的作用退化并最终消失,而修饰作用凸现并逐渐增强,直至填隙银离子不再产生,修饰作用也达到了最大,随后修饰作用将随染料吸附量的继续减少而变弱.

Al2O3/TiB2/AlN/TiN复合陶瓷材料的力学性能及显微结构

刘长霞;张建华;孙军龙;张希华

2006, 35(4): 830-834.

摘要 ( 5 )

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将金属Al、Al3Ti和TiB2以AlTiB中间合金的形式引入Al2O3基体材料中,采用热压原位反应生成法制备了Al2O3/TiB2/AlN/TiN复合陶瓷材料.复合材料在烧结过程处于过渡液相烧结,并有新相AlN和TiN生成;对热压烧结后材料的硬度、断裂韧性和抗弯强度进行了测试和分析;分析了复合材料力学性能随AlTiB体积百分含量的变化规律;探讨了复合材料断面断裂方式的变化对其力学性能的影响;并对AlTiB中间合金的细化特性进行了分析.

PZT基反铁电材料研究进展

夏志国;李强

2006, 35(4): 835-843.

摘要 ( 6 )

PDF (317KB) ( 18 )

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在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 (PLZST)反铁电材料.总结了利用La3+、Nb4+、Hf4+、Sr2+、Ba2+和Nd3+等离子对富锆PZT以及PZST粉体、陶瓷以及薄膜材料的掺杂取代改性研究.讨论了各类PZT基反铁电材料的铁电(FE)-反铁电(AFE)相变机理以及其场致应变性能.展望了PZT基反铁电材料今后研究与应用的发展方向.

制备工艺对B4C/TiB2/Mo/C陶瓷复合材料力学性能和显微结构的影响

孙军龙;邓建新;刘长霞

2006, 35(4): 844-848.

摘要 ( 6 )

PDF (242KB) ( 16 )

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采用热压法制备了80.6;B4C/11.6;TiB2/4.7;Mo/3;C质量分数陶瓷复合材料,分析了烧结工艺对力学性能和微观结构的影响.烧结温度变化范围是1800～1950℃,保温时间变化范围是15～60min,烧结压力30～35MPa.当烧结参数为1900℃、45min、35MPa,B4C/TiB2/Mo/C陶瓷复合材料抗弯强度、硬度、韧性、相对密度分别为705MPa、20.6GPa、3.82MPa·m1/2、98.2;.

四方相区NBT-KBT无铅铁电介电弛豫与铁电相变研究

李月明;陈文;徐庆;江向平;张玉平

2006, 35(4): 849-853.

摘要 ( 5 )

PDF (148KB) ( 18 )

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本文研究了具有四方结构的(Na1-xKx)0.5Bi0.5TiO3体系中x＝0.22,0.26和0.30陶瓷材料不同温度下的电滞回线,结合变温XRD和介电温谱分析,发现该体系四方结构的组成为反铁电体,但紧靠准同型相界的四方结构由于场诱导下引起的反铁电-铁电相变,表现出铁电体特性,材料在升温过程中由于反铁电宏畴向微畴的转变导致了介电峰的产生,且在介电温谱上表现出强烈的介电常数-频率依赖性,为弛豫铁电体特征.

Co2+:BeAl2O4晶体的提拉法生长及光谱特性

夏海平;张新民;张约品;章践立;王金浩

2006, 35(4): 854-857.

摘要 ( 6 )

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应用提拉法,采用合适的化学组分配比和化料过程、以及选用适宜的固液界面温度梯度与生长速度等优化工艺条件,成功地生长出了初始Co2+离子掺杂浓度为0.15mol;、尺寸φ48×85mm2的优质Co2+:BeAl2O4晶体.测定了晶体的吸收光谱,观测到496与 640nm二个主要吸收带,它们分别归属于八面体配位中Co2+的T1(4F)→4T1(4P)跃迁与四面体配位中Co2+的A2(4F)→4T1(4P)跃迁.从晶体的吸收光谱与呈现的粉红色颜色特征可推断大多数的Co2+离子取代BeAl2O4晶体中的Al3+,形成Co2+离子的八面体格位.研究了不同光波长激发下,晶体在可见光波段的荧光特征,观测到678nm波段的荧光发射,这归属于四面体格位中Co2+的电子从4T1(4P)到4A2(4F) 能级的跃迁.

KDP晶体的点状籽晶法生长及其缺陷研究

李晓兵;滕冰;钟德高;鲁晓东;庄严

2006, 35(4): 858-862.

摘要 ( 9 )

PDF (246KB) ( 24 )

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研究了溶液Ph值对KDP晶体生长形态的影响,进行了晶体生长实验和参数对比.以提高溶液Ph值为主要手段在低过饱和度下进行KDP晶体点状生长.对点状法生长的晶体进行了缺陷分析,测定了晶体不同区域的金属离子含量并进行了对比分析.实验表明溶液Ph值对晶体各向的相对生长速度有显著的影响.在Ph=5.0、低过饱和度(σ＜0.02)条件下生长出50×50×50mm3的晶体.

双周期厚度调制的多量子阱的透射谱

王同标;刘晓亮;尹承平;刘念华

2006, 35(4): 863-866.

摘要 ( 4 )

PDF (123KB) ( 21 )

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采用传输矩阵方法,研究了一维双周期厚度调制的多量子阱的透射谱.当量子阱的宽度被周期性地调制时,在原来的单一周期势的禁带中出现了一些窄带,落在这些窄带内的电子具有较强的局域性.

电沉积法制备CdS薄膜及其性能研究

葛艳辉;史伟民;魏光普;徐菁;邱永华

2006, 35(4): 867-870.

摘要 ( 7 )

PDF (168KB) ( 24 )

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采用电沉积法制备了CdS薄膜.分别用XRD及SEM分析了薄膜的结构和表面形貌.研究了不同温度和不同沉积电压对薄膜表面硫与镉的化学成分比的影响.最佳的沉积电压为2.5～3V之间.制作了ITO/n-CdS/p-SnS/Ag结构的太阳能电池,在100mW/cm2的光强下其开路电压0.2V,短路电流13.2mA/cm2,填充因子0.31,转换效率0.81;.

微波法合成新型红色长余辉材料Gd2O2S:Eu,Mg,Ti中助熔剂的影响

翟永清;刘元红

2006, 35(4): 871-875.

摘要 ( 5 )

PDF (207KB) ( 20 )

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用微波辐射法合成了红色长余辉材料Gd2O2S:Eu,Mg,Ti,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等手段对合成产物进行了分析和表征,并研究了不同助熔剂Li2CO3,Na2CO3,K2CO3,Na3PO4,KH2PO4以及Li2CO3和Na2CO3共同作用对材料的微观形貌及发光性能的影响.结果表明:不同的助熔剂的加入均可得到单相晶体,材料的晶体结构为六方晶系,与Gd2O2S的相同.颗粒分散性较好,晶粒尺寸以及形貌因助熔剂的不同而有所差别.发光性质研究表明:不同助熔剂的加入并没有改变样品发射谱主峰位置(627nm),但对其峰强度产生明显影响,激发光谱中的情况与此相似.研究发现Li2CO3和Na2CO3共同作用可有效延长余辉时间.

微管ZnO可控生长的研究

杨丽萍;李燕;邓宏

2006, 35(4): 876-879.

摘要 ( 10 )

PDF (220KB) ( 19 )

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本文采用水热法在玻璃基片上生长出了微米级六棱管状ZnO.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对所制备的样品进行物相结构及表面形貌的分析.结果显示所制备的样品为六角晶系纤锌矿结构的ZnO.通过在基片上预先生长不同尺度中空ZnO球的方法能够成功的生长出不同尺寸微米管状ZnO,初步实现了水热合成微米管状ZnO的可控生长.

非晶锗的低温晶化和光学特性研究

宣艳;杨宇

2006, 35(4): 880-883.

摘要 ( 15 )

PDF (118KB) ( 28 )

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本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(331)的变化.这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品.光致发光结果表明,非晶锗在可见光区有较强的发光现象,发光峰位中心分别在648.1nm和713.0nm.发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化,但峰强对晶粒大小的依赖性很强,平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象不显著.

硅纳米管的稳定性及性能的理论研究

李小祥;唐元洪;裴立宅

2006, 35(4): 884-888.

摘要 ( 7 )

PDF (279KB) ( 16 )

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硅纳米管(SiNTs)是一种继碳纳米管(CNT)和硅纳米线(SiNWs)之后的全新一维纳米材料.文中介绍了硅纳米管理论研究的最新进展,主要从理论上对硅纳米管的稳定性、稳定存在的形式及其性能,包括导电性能、热稳定性能、机械性能等进行了综述,最后,探讨了硅纳米管的发展前景并提出展望.

Ni-ZrO2纳米复合电铸层的制备及纳米颗粒分布均匀性研究

张文峰;朱荻

2006, 35(4): 889-892.

摘要 ( 5 )

PDF (268KB) ( 24 )

相关文章 | 计量指标

研究了在复合电铸过程中,当其它工艺参数一定时,复合电铸层的沉积速率及其厚度随时间的变化趋势, 以及复合电铸层表面微观形貌随电沉积时间的变化趋势.测定了复合电铸层的组织成分,并就纳米颗粒在复合电铸层表面和横截面上分布的均匀性进行了评价.结果表明,复合电铸层表面平整,组织均匀致密,其组成主要是镍和所复合的纳米颗粒,纳米颗粒较为均匀地分散在复合电铸层中.

草酸二甲酯均相沉淀法制备超细CeO2的研究

梅燕;韩业斌;聂祚仁

2006, 35(4): 893-896.

摘要 ( 4 )

PDF (207KB) ( 17 )

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以Ce(NO3)3·6H2O和草酸二甲酯(DMO)为原料,采用均相沉淀法制备超细CeO2粉体.借助TEM、SEM、 XRD及DTA-TG等测试手段,观察分析并研究了初生、反应30min及反应2h的CeO2前驱体,干燥并500℃焙烧得到的最终产物--超细CeO2粉体的制备过程.结果表明:CeO2前驱体Ce2(C2O4)3·10H2O的形成与最终产物CeO2在形状上相似,说明形貌有一定的遗传继承性,故可通过控制反应条件来控制前驱体的形貌及大小,达到控制最终产物的目的.制备了块状的、分散均匀良好的,粒径大小约为1μm的超细CeO2粉体.

掺钕KGW激光晶体的各向异性吸收光谱及其上转换发光

刘璟;郑志强;黄抒洁;李小燕;冯卓宏;洪锦棉;林琳;明海

2006, 35(4): 897-901.

摘要 ( 4 )

PDF (204KB) ( 17 )

相关文章 | 计量指标

在室温下测量了掺钕钨酸钾钆(Nd3+:KGW)晶体三个晶轴方向的吸收光谱,其吸收谱带强度明显显示各向异性.将Judd-Ofelt(J-O)理论进行修正,使其扩展应用于处理各晶轴方向的吸收光谱,计算出三个晶轴方向的各光谱带吸收系数、电偶极跃迁振子强度,其结果说明了Nd3+:KGW吸收光谱存在着各向异性.同时还研究了该材料在812nm激发下的上转换荧光特性,观察到较强的蓝色荧光.

炼丹术和气相晶体生长

蒋宛莉;张熙惟

2006, 35(4): 902-906.

摘要 ( 13 )

PDF (182KB) ( 29 )

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本文简要论述了炼丹术的兴起、发展、衰落,并试图从晶体学的角度阐述中国古代炼丹术对本草学、矿物学、近代化学及气相晶体生长的贡献.通过对古人相当分散记载的历史文献的搜集、整理,展示我国古代的气相晶体生长的概貌,论述了炼丹术和气相晶体生长的关系,探讨了炼丹术衰落的原因,最终得出气相晶体生长起源于中国古代的炼丹术,银珠(灵砂)是最早采用气相法生长的人工晶体这一结论.

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