Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 728-731.

Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向

张雅婷;徐章程;李菲晖

南开大学泰达应用物理学院,弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津,300457;天津大学化学化工学院,天津,300072

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60444010;60506013);南开大学校科研和教改项目;教育部留学回国人员科研启动基金;教育部长江学者奖励计划

Morphology and Preferential Orientation of Electro-deposited Cu/Si Thin Films

ZHANG Ya-ting;XU Zhang-cheng;LI Fei-hui

Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用电化学沉积技术在Si衬底上沉积了Cu膜.场发射扫描电镜和X射线衍射分析表明:膜中存在Cu纳米颗粒, 并且表现出择优取向,与衬底的取向和斜切角度以及沉积电流密度有关.在Si(100) 衬底上,铜(220)晶面的织构系数随电流密度的增加而增加.在相同沉积条件下,在斜切角较小的Si(111)和Si(100)衬底上择优取向面都是铜 (220) 面,而在斜切角为4°的Si(111)衬底上铜(111)晶面为择优取向面.

中图分类号:

O484

张雅婷;徐章程;李菲晖. Si基上电沉积Cu薄膜的形貌与择优取向[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 728-731.

ZHANG Ya-ting;XU Zhang-cheng;LI Fei-hui. Morphology and Preferential Orientation of Electro-deposited Cu/Si Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(4): 728-731.

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