p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 739-742.

p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响

范红兵;张晓丹;赵颖;孙建;魏长春;谷士彬;张存善

河北工业大学信息学院,天津,300130;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071;南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071;河北工业大学信息学院,天津,300130

出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
天津市自然科学基金(05YFJMTC01600);国家自然科学基金(60506003);天津市科技攻关项目(043186511)

Synthesis of p-type ZnO Thin Films and Influence of Substrate Temperature on Their Properties

FAN Hong-bing;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;SUN Jian;WEI Chang-chun;GU Shi-bin;ZHANG Cun-shan

Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文主要讨论了采用改进的超声雾化设备制备了不同衬底温度条件下的ZnO 薄膜.研究了该系统下不同衬底温度对ZnO薄膜电学、结构特性的影响.霍耳测试结果表明:获得了p型ZnO薄膜,其载流子浓度高达1.30×1019cm- 3 .样品的X射线衍射和场发射扫描电子显微镜的测试结果显示,在该系统下450℃时薄膜结晶性能最佳.

中图分类号:

TN302

范红兵;张晓丹;赵颖;孙建;魏长春;谷士彬;张存善. p型ZnO的制备以及衬底温度对薄膜特性的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 739-742.

FAN Hong-bing;ZHANG Xiao-dan;ZHAO Ying;SUN Jian;WEI Chang-chun;GU Shi-bin;ZHANG Cun-shan. Synthesis of p-type ZnO Thin Films and Influence of Substrate Temperature on Their Properties[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(4): 739-742.

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