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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 757-760.

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大尺寸高浓度掺杂Nd:GGG和Nd:YAG晶体的光谱性质

姜本学;赵志伟;徐晓东;宋平新;王晓丹;徐军;邓佩珍   

  1. 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;中国科学院研究生院,北京,100039;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800
  • 出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20

Spectral Properties of Large Sized Highly Doped Nd:GGG and Nd:YAG Crystals

JIANG Ben-xue;ZHAO Zhi-wei;XU Xiao-dong;SONG Ping-xin;WANG Xiao-dan;XU Jun;DENG Pei-zhen   

  • Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 由于Nd3+离子半径0.112nm和Y3+离子半径0.101nm相差10.9;,使得Nd3+离子非常难于进入YAG晶体中.我们用温度梯度法生长了大尺寸高浓度(2.8at;)的Nd:YAG晶体,同时与用提拉法Nd:GGG晶体进行了比较.分析了高浓度掺杂Nd:GGG和 Nd:YAG晶体浓度猝灭问题.研究了不同浓度掺杂的猝灭效应.在同样的掺杂浓度下,我们发现它们的猝灭程度不同,其原因是两种晶体中ΔE(-)mism和ΔE(+)mism不同.

关键词: Nd:GGG;Nd:YAG;浓度猝灭;荧光寿命

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