摘要: 在综述Pb(Zr,Ti)O3(PZT)基反铁电材料的研制与性能研究进展的基础上,重点探讨了PZT95/5反铁电材料和在PZT基础上掺杂改性的Pb(Zr,Sn,Ti)O3(PZST),(Pb,La)(Zr,Sn,Ti)O3 (PLZST)反铁电材料.总结了利用La3+、Nb4+、Hf4+、Sr2+、Ba2+和Nd3+等离子对富锆PZT以及PZST粉体、陶瓷以及薄膜材料的掺杂取代改性研究.讨论了各类PZT基反铁电材料的铁电(FE)-反铁电(AFE)相变机理以及其场致应变性能.展望了PZT基反铁电材料今后研究与应用的发展方向.
中图分类号:
夏志国;李强. PZT基反铁电材料研究进展[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(4): 835-843.
XIA Zhi-guo;LI Qiang. Study on Progress of Antiferroelectric Materials based on PZT[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(4): 835-843.