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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (4): 880-883.

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非晶锗的低温晶化和光学特性研究

宣艳;杨宇   

  1. 云南大学材料科学与工程系,昆明,650091
  • 出版日期:2006-08-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家自然科学基金(60567001);云南省自然科学基金(2001G06)

Study on the Low Temperature Crystallization and Optical Properties of Amorphous Ge Films

XUAN Yan;YANG Yu   

  • Online:2006-08-15 Published:2021-01-20

摘要: 本文采用直流磁控溅射在(100)硅衬底上沉积了单层锗薄膜,分别用拉曼光谱和X射线衍射研究了薄膜的结晶性,通过对结晶性的研究发现,在衬底温度为200℃时溅射功率为150W时结晶性开始变好,功率增至250W的过程,锗薄膜的择优取向发生(220)向(331)的变化.这样在无金属掺杂的情况下得到了结晶性较好的样品.光致发光结果表明,非晶锗在可见光区有较强的发光现象,发光峰位中心分别在648.1nm和713.0nm.发光峰位不随晶粒尺寸变化而变化,但峰强对晶粒大小的依赖性很强,平均晶粒较大的锗薄膜在可见光区发光现象不显著.

关键词: 锗;溅射功率;低温晶化

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