Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 1108-1112.

Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究

王明旭;岳光辉;范晓彦;闫德;闫鹏勋;杨强

兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000;兰州工业高等专科学校,兰州,730050;兰州大学等离子体与金属材料研究所,兰州,730000

出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
甘肃省自然科学基金(ZS021-A25-022-C)

Investigations on Preparation and the Hall Effect of the Cu3N Thin Films

WANG Ming-xu;YUE Guang-hui;FAN Xiao-yan;YAN De;YAN Peng-xun;YANG Qiang

Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用反应射频磁控溅射的方法在纯氮气气氛下、氮气流量为12sccm、衬底温度为100℃的条件下,在玻璃基底上成功制备了氮化铜(Cu3N)薄膜.XRD显示薄膜择优[100]晶向生长.用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了样品的表面形貌,发现样品表面平整、结构紧密.用四探针法检测了薄膜的霍尔特性,发现随温度的降低薄膜的霍尔系数、霍尔电阻率均增加.霍尔迁移率在高温范围也呈降低的趋势,但是变化的范围比较小,在低温范围又有所增加.随温度的降低薄膜的载流子浓度降低.我们还通过变温的霍尔系数估算了氮化铜薄膜的禁带宽度约为1.35eV.

中图分类号:

TB443

王明旭;岳光辉;范晓彦;闫德;闫鹏勋;杨强. Cu3N薄膜的制备及其霍尔效应研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 1108-1112.

WANG Ming-xu;YUE Guang-hui;FAN Xiao-yan;YAN De;YAN Peng-xun;YANG Qiang. Investigations on Preparation and the Hall Effect of the Cu3N Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(5): 1108-1112.