基于PECVD制备多晶硅薄膜研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 1151-1154.

基于PECVD制备多晶硅薄膜研究

赵晓锋;温殿忠

黑龙江大学电子工程黑龙江省高校重点实验室,哈尔滨,150080;黑龙江大学集成电路重点实验室,哈尔滨,150080

出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
黑龙江省重点实验室基金(DZZD2006-12);黑龙江大学校科研和教改项目;黑龙江大学校科研和教改项目(QL200514)

Study on Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by PECVD

ZHAO Xiao-feng;WEN Dian-zhong

Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 基于PECVD以高纯SiH4为气源研究制备多晶硅薄膜,在衬底温度550℃、射频(13.56MHz)电源功率为20W直接沉积获得多晶硅薄膜.采用X射线衍射仪(XRD) 和场发射扫描电子显微镜(SEM) 对多个样品薄膜的结晶情况及形貌进行分析,薄膜结晶粒取向均为<111>、<220>、<311>晶向.对550℃沉积态薄膜在900℃、1100℃时进行高温退火处理,硅衍射峰明显加强.结果表明,退火温度越高,退火时间越长,得到多晶硅薄膜表面晶粒趋于平坦,择优取向为<111>晶向,晶粒也相对增大.

中图分类号:

TM614

赵晓锋;温殿忠. 基于PECVD制备多晶硅薄膜研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 1151-1154.

ZHAO Xiao-feng;WEN Dian-zhong. Study on Preparation of Polycrystalline Silicon Thin Films by PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(5): 1151-1154.