对柱状多晶硅薄膜的制备研究

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 1159-1162.

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对柱状多晶硅薄膜的制备研究

张丽伟;赵新蕖;卢景霄;郜小勇;陈永生;靳瑞敏

郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,新乡,453000;河南机电高等专科学校,新乡,453002;郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州,450052

出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20

Study of Columnar Grain in Poly-Si Thin Films

ZHANG Li-wei;ZHAO Xin-qu;LU Jing-xiao;GAO Xiao-yong;CHEN Yong-sheng;JIN Rui-min

Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 在多晶硅薄膜(Poly-Si)生长理论的基础上,用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)系统,配合快速光热退火装置(RTP),在玻璃衬底和石英衬底上制备了柱状结构的多晶硅薄膜.借助于扫描电子显微镜(SEM)等测试手段,对薄膜的表面形貌和断面形貌进行了分析.结果发现:(1)柱晶的形成对薄膜的厚度有一定要求,而且薄膜越厚,柱晶直径越容易长得更大.本实验中,薄膜厚度达到2.5μm左右时,柱晶直径达到了1.5μm以上;(2)再结晶过程是从靠近光源的薄膜表面开始进而到薄膜内部的.再次说明RTP中再结晶的发生,与光和物质的相互作用密切相关.

中图分类号:

TN304.05

张丽伟;赵新蕖;卢景霄;郜小勇;陈永生;靳瑞敏. 对柱状多晶硅薄膜的制备研究[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(5): 1159-1162.

ZHANG Li-wei;ZHAO Xin-qu;LU Jing-xiao;GAO Xiao-yong;CHEN Yong-sheng;JIN Rui-min. Study of Columnar Grain in Poly-Si Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(5): 1159-1162.

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