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人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (5): 939-942.

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CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究

钟雨航;朱世富;赵北君;任锐;何知宇;叶林森;温才   

  1. 四川大学材料科学系,成都,610064
  • 出版日期:2006-10-15 发布日期:2021-01-20
  • 基金资助:
    国家高技术研究发展计划(863计划)(2002AA325030)

Study on Chemical Mechanical Polishing Technology for CdSe Wafer for Detectors

ZHONG Yu-hang;ZHU Shi-fu;ZHAO Bei-jun;REN Rui;HE Zhi-yu;YE Lin-sen;WEN Cai   

  • Online:2006-10-15 Published:2021-01-20

摘要: 采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光.研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量.通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω·cm以上,适合CdSe探测器制备.

关键词: 硒化镉;机械化学抛光;抛光液;金相显微镜;电阻率

中图分类号: