籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1180-1184.

籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体

徐亚东;介万奇;王涛;刘伟华

西北工业大学材料科学与工程学院,西安,710072

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(50336040)

Growth of Large-size CdZnTe Single Crystal Using Seeded Vertical Bridgman Method

XU Ya-dong;JIE Wan-qi;WANG Tao;LIU Wei-hua

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用改进的垂直布里奇曼(MVB)法并引入籽晶生长技术,成功生长出直径60mm,单晶体积超过200cm3的CdZeTe(CZT)晶锭.根据CZT 晶片在近红外(NIR)波段的透过谱,由截止波长推算Zn组分在晶片中的平均含量,进一步的拟合得出晶体生长过程Zn沿晶锭轴向分凝因数约为1.30;分析了晶片在中红外波段内的红外透过率,发现波数在2000～4000cm-1内透过率平直且较高,超过60;,而从2000cm-1到500cm-1随波数的减小透过率急速下降至零;由钝化后的Au/CZT晶片的I-V曲线,计算得到生长态CZT晶片的电阻率ρ达到1.8×109～2.6×1010Ω·cm.

中图分类号:

O782

徐亚东;介万奇;王涛;刘伟华. 籽晶垂直布里奇曼法生长大尺寸CdZnTe单晶体[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1180-1184.

XU Ya-dong;JIE Wan-qi;WANG Tao;LIU Wei-hua. Growth of Large-size CdZnTe Single Crystal Using Seeded Vertical Bridgman Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(6): 1180-1184.

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