甲酸根离子掺杂的卤化银中空穴陷阱效应分析

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1227-1231.

甲酸根离子掺杂的卤化银中空穴陷阱效应分析

李庆;范闪闪;李春雷;周娴;杨少鹏;李晓苇;江晓利;田晓东;傅广生

河北大学物理科学与技术学院,保定071002

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家自然科学基金(60478033);河北省科学技术研究与发展计划(05215102)

Study of Hole-trap Effect in Silver Halide Doped with Formate Ions

LI Qing;FAN Shan-shan;LI Chun-lei;ZHOU Xian;YANG Shao-peng;LI Xiao-wei;JIANG Xiao-li;TIAN Xiao-dong;FU Guang-sheng

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 本文采用微波吸收介电谱检测技术,系统研究了甲酸根离子掺杂的立方体卤化银乳剂在35ps脉冲激光作用下所产生的光电子衰减行为,分析了甲酸根离子的空穴陷阱效应以及光电子衰减特性与掺杂条件的关系.通过分析不同位置和浓度甲酸根离子掺杂的立方体AgBr乳剂中光电子衰减时间特性,讨论了AgBr乳剂中甲酸根离子掺杂条件的变化对光电子衰减的影响,揭示了其空穴陷阱效应的作用机理.实验结果表明:不同浓度的甲酸根离子对立方体AgBr乳剂都有增感作用,最佳掺杂浓度为10-3mol/molAg;最佳掺杂位置是90;,说明了在接近微晶表面掺杂的空穴陷阱对提高乳剂感光度有较好的作用.

中图分类号:

TQ174

李庆;范闪闪;李春雷;周娴;杨少鹏;李晓苇;江晓利;田晓东;傅广生. 甲酸根离子掺杂的卤化银中空穴陷阱效应分析[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1227-1231.

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