半导体薄膜材料外延生长的蒙特卡罗模拟

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1272-1276.

半导体薄膜材料外延生长的蒙特卡罗模拟

俞重远;封强;刘玉敏;任晓敏

北京邮电大学理学院,北京,100876;光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876;光通信与光波技术教育部重点实验室,北京,100876

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20
基金资助:
国家重点基础研究发展计划(973计划)(2003CB314901);国家高技术研究发展计划(863计划)(2003AA311070)

Monte Carlo Simulation of Epitaxial Growth on Semiconductor Film Material

YU Zhong-yuan;FENG Qiang;LIU Yu-min;REN Xiao-min

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 半导体自组织生长量子点是一种新型半导体材料,它在纳米电子学、光电子学和生命科学中有广泛的应用前景,本文讨论了计算机模拟量子点的生长在材料设计中的重要意义,建立动力学蒙特卡罗二维模型, 通过获得的原子沉积的表面图样和对原子簇大小分布的数学统计,得到提高生长温度或者降低沉积速率等量子点外延生长的优化条件.

中图分类号:

O484

俞重远;封强;刘玉敏;任晓敏. 半导体薄膜材料外延生长的蒙特卡罗模拟[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1272-1276.

YU Zhong-yuan;FENG Qiang;LIU Yu-min;REN Xiao-min. Monte Carlo Simulation of Epitaxial Growth on Semiconductor Film Material[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2006, 35(6): 1272-1276.

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Monte Carlo Simulation of Epitaxial Growth on Semiconductor Film Material

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