衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响

人工晶体学报 ›› 2006, Vol. 35 ›› Issue (6): 1287-1290.

衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响

赵剑涛;郜小勇;刘绪伟;陈永生;杨仕娥;卢景霄

郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室,郑州,450052;河南工业大学化学工业职业学院,郑州,450042;郑州大学物理工程学院教育部材料物理重点实验室,郑州,450052

出版日期:2006-12-15 发布日期:2021-01-20

Effect of Substrate Temperature on the Microstructural Properties for μc-Si:H Films

ZHAO Jian-tao;GAO Xiao-yong;LIU Xu-wei;CHEN Yong-shen;YANG Shi-e;LU Jing-xiao

Online:2006-12-15 Published:2021-01-20

摘要/Abstract

摘要： 采用等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)技术,在不同衬底温度Ts下沉积了氢化微晶硅(μc-Si:H)薄膜,并深入研究了衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响.研究结果表明随着衬底温度的升高,表征μc-Si:H 薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸均呈现了相似的变化规律,其临界温度点随着硅烷浓度的增加向高温方向移动.该实验结果可通过"表面扩散模型"得到合理解释.

中图分类号:

O484

赵剑涛;郜小勇;刘绪伟;陈永生;杨仕娥;卢景霄. 衬底温度对微晶硅薄膜微结构的影响[J]. 人工晶体学报, 2006, 35(6): 1287-1290.

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